Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (4)Журнали та продовжувані видання (3)Реферативна база даних (31)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Корбутяк Д$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 22
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Шевчук О. М. 
Синтез гідро- та органозолів наночастинок CdSe в присутності поверхнево-активних олігопероксидів [Електронний ресурс] / О. М. Шевчук, Є. Ю. Нікітішин, Н. М. Букартик, С. М. Калитчук, Д. В. Корбутяк, Г. А. Ільчук, В. С. Токарев // Вопросы химии и химической технологии. - 2013. - № 2. - С. 33-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vchem_2013_2_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 428.489 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Корбутяк Д. В. 
Люмінесцентні властивості нанокристалів CdS, синтезованих у полімерних матрицях [Електронний ресурс] / Д. В. Корбутяк, С. М. Калитчук, С. І. Будзуляк, А. О. Курик, С. В. Токарєв, О. М. Шевчук, Г. А. Ільчук, В. С. Токарев // Журнал фізичних досліджень. - 2014. - Т. 18, Число 1. - С. 1801-1-1801-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2014_18_1_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 693.256 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Корбутяк Д. В. 
Синтез і спектри фотолюмінесценції композитних плівок з нанокристалами сульфіду кадмію [Електронний ресурс] / Д. В. Корбутяк, С. В. Токарєв, О. М. Шевчук, Г. А. Ільчук, В. С. Токарев, С. І. Будзуляк, А. О. Курик // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 4(2). - С. 04066-1-04066-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_4(2)__22
Описано особливості оптичних властивостей композитних плівок з вбудованими нанокристалами сульфіду кадмію (НК CdS), одержаними за допомогою золь-гель методу in situ. Спектри фотолюмінесценції складаються з 2-х областей: домішкової з E = 1,6 - 2,3 еВ, зумовленої поверхневими дефектами, та екситонної з E = 2,3 - 3,0 еВ. Збільшення концентрації прекурсору Cd(Ac)2 x 2H2O у полімерній матриці від 36 до 48 % не призводить до автоматичного зростання інтенсивностей поглинання за lambdaмакс. і фотолюмінесценції композитної плівки, що імовірно зумовлено утворенням в останньому випадку менш досконалих структур CdS.
Попередній перегляд:   Завантажити - 295.797 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Коваленко А. В. 
Лазерные квантоворазмерные структуры на основе соединений А2В6 (обзор) [Електронний ресурс] / А. В. Коваленко, Д. В. Корбутяк, С. И. Будзуляк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 7-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 658.978 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Будзуляк С. І. 
Трансформація екситонно-домішкових комплексів в монокристалах CdTe: Cl під впливом гамма-опромінення та термічного відпалу [Електронний ресурс] / С. І. Будзуляк, О. П. Лоцько, Н. Д. Вахняк, С. М. Калитчук, Д. В. Корбутяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 351-356. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_10
За допомогою методу низькотемпературної фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено вплив гамма-опромінення та термічного відпалу на трансформацію екситонно-домішкових комплексів у монокристалах телуриду кадмію, легованого хлором. Немонотонні залежності інтегральної інтенсивності ФЛ від дози опромінення вказують на радіаційно-стимульоване впорядкування кристалічної структури (ефект малих доз). На підставі вимірів температурних залежностей спектрів ФЛ встановлено граничну температуру відпалу (T = 170 градусів за Цельсієм), після якої відбуваються суттєві зміни в домішково-дефектній структурі монокристалів CdTe:Cl.
Попередній перегляд:   Завантажити - 198.648 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Томашик З. Ф. 
Вплив механічної та хімічної обробок поверхні на спектри низькотемпературної фотолюмінесценції кристалів ZnSe [Електронний ресурс] / З. Ф. Томашик, І. Б. Стратійчук, С. І. Будзуляк, А. С. Кравцова, В. М. Томашик, С. М. Галкін, О. О. Сосницька, С. М. Калитчук, Д. В. Корбутяк, Л. А. Демчина // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 728-732. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_30
Встановлено закономірності процесів механічної обробки та хімічного полірування нелегованих і легованих телуром та алюмінієм монокристалів ZnSe, досліджено стан поверхні кристалів за допомогою методу електронної мікроскопії. Вивчено спектри низькотемпературної (T = 5 K) фотолюмінесценції кристалів, ідентифіковано відповідні смуги в екситонній і домішковій областях спектра. Проаналізовано залежність інтенсивності та енергетичного положення смуг фотолюмінесценції від типу легуючої домішки та способу механічної і хімічної обробки досліджуваних матеріалів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 754.116 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Корбутяк Д. В. 
Оптичні та структурно-дефектні характеристики нанокристалів CdS:Cu і CdS:Zn, синтезованих Г. А. в полімерних матрицях [Електронний ресурс] / Д. В. Корбутяк, С. В. Токарев, С. І. Будзуляк, А. О. Курик, В. П. Кладько, Ю. О. Поліщук, О. М. Шевчук, Г. А. Ільчук, В. С. Токарев // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 222-227. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_38
Розроблено технологію синтезу нанокристалів (НК) CdS:Cu і CdS:Zn у полімерних матрицях; проведено комплексні дослідження спектрів оптичного поглинання, фотолюмінесценції та рентгеноструктурного аналізу НК CdS залежно від концентрації введених домішок Cu і Zn у межах (1 - 10) %. Встановлено, що домішка Cu зосереджується на поверхні НК, пасивуючи дефекти вакансійного типу, які є поверхневими випромінювальними центрами. Домішка цинку, навпаки, проникає в об'єм НК CdS, створюючи додаткові поверхневі дефекти - центри випромінювальної рекомбінації. Внаслідок цього постійна кристалічної гратки НК CdS зменшується від d = 0,585 нм (для нелегованих НК CdS) до d = 0,581 нм (для легованих цинком НК CdS до рівня NZn = 10 %).
Попередній перегляд:   Завантажити - 265.524 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Томашик З. Ф. 
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения [Електронний ресурс] / З. Ф. Томашик, И. Б. Стратийчук, В. Н. Томашик, С. И. Будзуляк, И. И. Гнатив, В. К. Комар, Н. Г. Дубина, А. П. Лоцько, Д. В. Корбутяк, Л. А. Демчина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 1. - С. 42-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_1_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 136.675 Kb    Зміст випуску     Цитування
9.

Будзуляк С. И. 
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения [Електронний ресурс] / С. И. Будзуляк, Д. В. Корбутяк, А. П. Лоцько, Н. Д. Вахняк, С. М. Калитчук, Л. А. Демчина, Р. В. Конакова, В. В. Шинкаренко, А. В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 45-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_4_9
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd-СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга-Рис) от времени облучения.Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd-СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга-Рис) в залежності від часу опромінення.High-resistance cadmium telluride single crystals are promising material for production of ionizing radiation detectors. To increase crystal resistance, they are doped with chlorine. The detector quality depends on uniformity of chlorine impurity distribution over crystal. It is known that low-dose microwave irradiation can homogenize impurity distribution in a specimen. In the present work, we made an attempt to improve the detector material quality by using such post-technological treatment, as well as to study state variation for impurity-defect complexes. To this end, the effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of ClTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VCd–ClTe) defect centers at which excitons are bound. Detailed investigations of the band form for donor-acceptor pairs (DAPs) in CdTe:Cl single crystals made it possible to determine the Huang-Rhys factor (that characterizes electron-phonon interaction in CdTe:Cl DAPs) as a function of microwave treatment duration. It is shown for single crystals with NCl = 5?1017 cm–3 and 5?1019 cm–3 that the Huang-Rhys factor grows with microwave irradiation dose. This is related to both homogenization of donor and acceptor centers distribution and increase of donor-acceptor spacing. Itis shown that microwave irradiation of CdTe:Cl single crystals results in concentration reduction for separate cadmium vacancies VCd because of formation of (VCd-ClTe) defect centers at which excitons are bound.
Попередній перегляд:   Завантажити - 420.888 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Литовченко Н. М. 
Екситонні характеристики InxGa1-xAs−GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах [Електронний ресурс] / Н. М. Литовченко, Д. В. Корбутяк, О. М. Стрільчук // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 3. - С. 262-268. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_3_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 313.122 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Крюченко Ю. В. 
Екситонне випромінювання гібридної наносистеми "сферична напівпровідникова квантова точка + сферична металева наночастинка" [Електронний ресурс] / Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 7. - С. 634-648. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_7_9
Досліджено випадок сферичної квантової точки (КТ) прямозонного напівпровідника кубічної модифікації з чотирикратно виродженою валентною зоною <$EGAMMA sub 8> в околі сферичної металевої наночастинки (НЧ). Екситонне випромінювання КТ розглянуто як таке, що формується сумою внесків випромінюючих точкових (вузельних) диполів всередині КТ. Опис несферичної в цілому наноситеми базується на використанні 3-х сферичних систем координат і встановленні зв'язку між коефіцієнтами мультипольного розкладу електромагнітних (ЕМ) полів у цих системах координат. Полярні осі першої та другої систем з центрами в НЧ і КТ спрямовані вздовж лінії, що з'єднує ці центри. Орієнтація третьої системи координат з центром в КТ визначається орієнтацією кристалічної гратки в КТ. Показано, що на відміну від скалярного потенціалу електричного поля, який індукується екситонним станом в КТ і має вигляд потенціалу точкового диполя, ЕМ поле екситонного випромінювання КТ не може бути представлене у вигляді ЕМ поля випромінювання точкового диполя, оскільки містить лише дипольні, квадрупольні й октупольні компоненти. Враховано багатократне розсіювання між НЧ і КТ електромагнітного поля, що випромінює КТ. Розраховано залежності квантового виходу екситонного випромінювання від відстані між поверхнями КТ і НЧ за різних розмірів КТ і НЧ і температур 4,2 і 300 К у випадку КТ CdTe і срібних або золотих НЧ.
Попередній перегляд:   Завантажити - 911.842 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Будзуляк С. И. 
Влияние СВЧ-облучения на спектры фотолюминесценции монокристаллов CdTe: Cl при Т = 2k [Електронний ресурс] / С. И. Будзуляк, Н. Д. Вахняк, Л. А. Демчина, Д. В. Корбутяк, Р. В. Конакова, А. П. Лоцько, О. Б. Охрименко, Р. А. Редько, Н. И. Березовская, Ю. В. Быков // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 2. - С. 128-134. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_2_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.12 Mb    Зміст випуску     Цитування
13.

Курик А. О. 
Структурні та фотолюмінесцентні властивості монокристалів CdTe:V [Електронний ресурс] / А. О. Курик, Н. В. Сафрюк, С. І. Будзуляк, В. М. Єрмаков, В. П. Кладько, Д. В. Корбутяк // Журнал фізичних досліджень. - 2015. - Т. 19, Число 4. - С. 4702-1-4702-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2015_19_4_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 314.93 Kb    Зміст випуску     Цитування
14.

Купчак І. М. 
Зсув Стокса у квантових точках CdTe [Електронний ресурс] / І. М. Купчак, Д. В. Корбутяк, С. М. Калитчук, Ю. В. Крюченко, А. Й. Шкребтій // Журнал фізичних досліджень. - 2010. - Т. 14, Число 2. - С. 2701-1-2701-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2010_14_2_8
Попередній перегляд:   Завантажити - 555.592 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Будзуляк C. І. 
Фотолюмінесцентні властивості НК CdTe в колоїдних розчинах та полімерних плівках [Електронний ресурс] / C. І. Будзуляк, Л. А. Демчина, В. М. Єрмаков, О. А. Капуш, Д. В. Корбутяк, В. М. Томашик, З. Ф. Томашик, Л. І. Тріщук, С. Д. Борук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 1. - С. 60-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_1_11
За допомогою методу колоїдного синтезу отримано нанокристали (НК) кадмій телуриду у водних середовищах з використанням стабілізаторів і промоторів, і проведено їх подальшу інкорпорацію у полімерні плівки. Показано, що використання кополімеру вінілацетат-акрилату як матеріалу матриці для інкорпорації НК CdTe з колоїдних розчинів надає можливість отримати стійкі в часі нетоксичні наногетерогенні плівкові структури, що характеризуються задовільним значенням величини квантового виходу фотолюмінесценції. Проаналізовано фотолюмінесцентні характеристики досліджуваних матеріалів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 175.813 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
16.

Крюченко Ю. В. 
Гібридні наноструктури з квантовими точками А2В6 і металевими наночастинками (огляд) [Електронний ресурс] / Ю. В. Крюченко, Д. В. Корбутяк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2016. - Вып. 51. - С. 7-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2016_51_4
Проаналізовано сучасний стан створення різноманітних гібридних напівпровідниково-металевих наноструктур і дослідження їх люмінесцентних властивостей. Такі структури демонструють незвичайні оптичні характеристики внаслідок можливості одночасного існування локалізованих поверхневих плазмонів у металевих наночастинках та екситонів у напівпровідникових квантових точках та їх резонансної взаємодії. Описано сучасний стан досліджень характеристик мерехтіння окремих квантових точок і квантових точок в околі металевих наночастинок.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.337 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Дремлюженко К. С. 
Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом [Електронний ресурс] / К. С. Дремлюженко, О. А. Капуш, С. Д. Борук, Д. В. Корбутяк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 213-219. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_15
Мікро- та нанорозмірні кристали напівпровідникових матеріалів, таких як кадмій телурид є перспективним матеріалом для виготовлення світлопоглинаючих пристроїв, моніторів з розширеним спектром передачі кольорів. Також їх можна використовувати в якості біологічних міток. Широко відомі хімічні методи синтезу таких структур. За допомогою методу електроіскрового розпилення можна отримувати мікро- та нанорозмірні частинки не лише на основі металів (кадмій, телур), але і напівпровідникових сполук (кадмій телурид). Дана робота присвячена розробці способів виготовлення низькорозмірних напівпровідникових та металевих систем, встановлення оптимальних умов синтезу мікро- та нанорозмірних частинок кадмію, телуру, кадмій телуриду, дослідженню їх характеристик, а саме встановленню якісного, кількісного складу та стійкості систем, а також вибору стабілізатора та дисперсійного середовища. Досліджено безпосередньо системи К:Cd-A:Cd, К:Te-A:Te, K:Te-A:Cd, K:Cd-A:Te, К:CdTe-A:CdTe, (де K - катод, A - анод) в розчинах тіогліколевої кислоти, етилового спирту та толуену. Досліджено вплив температурних умов на утворення та стабілізацію одержаних систем. Згідно з рентгенівськими дослідженнями встановлено, що при певній комбінації аноду та катоду, утворюється дві поліморфні модифікації кадмій телуриду. Показано також розкид за розмірами утворених систем при різних комбінаціях електродів під час утворення мікрогетерогенних систем. Вдосконаливши метод електроіскрового розпилення, можна отримувати більшу кількість нанорозмірних частинок, що зробить даний метод більш конкурентним серед інших фізико-хімічних методів синтезу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 736.058 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Купчак І. М. 
Власні дефекти в квантових точках CdZnS [Електронний ресурс] / І. М. Купчак, Д. В. Корбутяк, Н. Ф. Серпак // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2020. - Т. 17, № 2. - С. 50-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2020_17_2_6
Дефекти у квантових точках можуть впливати на їх оптичні характеристики, створюючи додаткові канали випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінації. Методом функціоналу густини проведено розрахунки структурних та електронних характеристик вакансій металу (кадмій, цинк) та міжвузлової сірки, як найбільш імовірних типів дефектів у нанокристалах Cd1-xZnxS. Розраховано повну та парціальну густину електронних станів, проведено аналіз структурної релаксації. Виходячи з отриманих теоретичних результатів та наявних експериментальних даних зроблено висновок, що з усіх розглянутих типів дефектів лише вакансії кадмію можуть бути центрами випромінювальної рекомбінації у квантових точках Cd1-xZnxS.
Попередній перегляд:   Завантажити - 661.542 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Купчак І. М. 
Електронні характеристики квантових точок СdS, що містять дефекти [Електронний ресурс] / І. М. Купчак, Д. В. Корбутяк, Н. Ф. Серпак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2020. - № 3-4. - С. 28-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2020_3-4_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.789 Mb    Зміст випуску     Цитування
20.

Литовченко В. Г. 
Електронно-дірковий упорядкований конденсат як перспективне лазерне 2D середовище для кімнатних температур [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, Л. Л. Федоренко, Д. В. Корбутяк, М. В. Стріха // Український фізичний журнал. - 2021. - Т. 66, № 7. - С. 612-618. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2021_66_7_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 917.375 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського