Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (4)Реферативна база даних (88)Авторитетний файл імен осіб (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Ковалюк З$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 91
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Катеринчук В. М. 
Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид–p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 4. - С. 93-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_4_9
Досліджено температурну залежність коефіцієнта фотоплеохроїзму для гетеропереходу власний оксид - р-InSe. Зареєстровано різну температурну залежність зсуву довгохвильового краю фотоструму для двох орієнтацій поляризації: Е || С і Е <$E symbol <94>> С.
Попередній перегляд:   Завантажити - 781.499 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Ковалюк З. Д. 
Виникнення феромагнетизму в шаруватих напівпровідниках GaSe, інтеркальованих кобальтом [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. Б. Боледзюк, В. В. Шевчик, В. М. Камінський, А. Д. Шевченко // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2012. - № 2(5). - С. 12-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2012_2(5)__5
Досліджено вплив постійного магнітного поля на процес впровадження та магнітні властивості монокристалів GaSe та їх інтеркалатів Co0,15GaSe. Показано, що інтеркаляція кобальту в моноселенід галію не робить впливу на параметри кристалічної решітки GaSe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 307.5 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Ковалюк З. Д. 
Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, О. С.. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03027-1-03027-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__3
Попередній перегляд:   Завантажити - 353.248 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Хандожко В. О. 
Вплив відпалу кристала на орієнтаційну залежність ядерного квадрупольного резонансу в InSe [Електронний ресурс] / В. О. Хандожко, М. Д. Раранський, В. Н. Балазюк, З. Д. Ковалюк // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03050-1-03050-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__26
Використовуючи метод ЯКР, досліджено залежність інтенсивності спектра від орієнтації кристалографічних осей анізотропного кристала щодо вектора магнітної компоненти високочастотного поля. Наявність залишкової інтенсивності резонансного спектру за H1||c свідчить про присутність в монокристалі дефектів і блоків з малими кутовими границями або іншими порушеннями в атомних шарах. Відпал кристалу за температури 550o C супроводжується покращанням якості резонансних спектрів ЯКР та дифракційних максимумів на топограмах.
Попередній перегляд:   Завантажити - 262.445 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Барбуца С. Г. 
Оптичні та електрохімічні властивості шаруватих кристалів GaSe інтеркальованих нікелем [Електронний ресурс] / С. Г. Барбуца, В. Б. Боледзюк, З. Д. Ковалюк, М. М. Пирля, Т. М. Фешак // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03053-1-03053-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__29
Наведено результати досліджень оптичних та електрохімічних властивостей вказують на можливість інтеркаляції шаруватих кристалів GaSe іонами нікелю. Встановлено, що електрохімічне впровадження Ni призводить до монотонного збільшення електродного потенціалу шаруватого напівпровідника GaSe у разі досягнення концентрації інтеркалянту nNi = 1018 - 1020 см-3. Внаслідок інтеркаляції нікелем в кристалі GaSe за T = 293 K відбувається зростання енергетичного положення екситонного максимуму Eекс на 6 меВ (від 2,008 до 2,014 еВ) та суттєве збільшення напівширини екситонної смуги поглинання H на 5,2 меВ. За температури Т = 77 К виявлено немонотонні залежності енергетичного положення екситонного максимуму Еекс від концентрації, у сполуках GaSe. Наведено залежності Eекс(nNi) для цих сполук впровадження пояснюються як результат конкуренції між впливами внутрішньошарових і міжшарових деформацій, які мають різні знаки деформаційного потенціалу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 298.745 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Кудринський З. Р. 
Вплив низькотемпературного відпалу на властивості гетеропереходів p-In Se–n-In2O3 [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2012. - № 1(5). - С. 25-28. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2012_1(5)__8
Досліджено вплив температурного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe - n-In2O3. Для середньостатистичних структур з Uxx = 0,25 В і Iкз = 250 мкА спостерігається покращання Uxx на 48 %, Iкз на 44 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 477.946 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Ковалюк З. Д. 
Дослідження електричних властивостей InSe інтеркальованого кобальтом [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. В. Шевчик, В. Б. Боледзюк, В. В. Нетяга // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 4. - С. 04038-1-04038-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_4_40
Проведено дослідження електричних властивостей монокристалів InSe та інтеркалатів CoxInSe (x = 0,05; 0,1; 0,15), а також вплив постійного магнітного поля на процес впровадження та параметри одержаних сполук. Встановлено, що у разі зростання концентрації впровадженого кобальту залежність зміни електроопору зразків є немонотонною. Показано, що магнітне поле здійснює вплив на властивості інтеркальованих сполук на основі моноселеніду індію як під час самого процесу інтеркаляції, так і у процесі проведення вимірів. Виявлено залежність властивостей одержаних інтеркалянтів від орієнтації кристала в магнітному полі.
Попередній перегляд:   Завантажити - 450.448 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Кудринський З. Р. 
Інтеркальовані шаруваті кристали InSe, GaSe і Bi2Te3 та чутливі елементи перетворювачів тиску на їх основі [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 2. - С. 62-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_2_7
Показано принципову можливість використання шаруватих напівпровідникових кристалів InSe, GaSe і Bi2Te3 як чутливих елементів для перетворювачів тиску. Запропоновано два способи вимірювання тиску на основі шаруватих кристалів: по залежності параметра (струму) інтеркаляції від тиску і по залежності електрорушійної сили інтеркалата від тиску.
Попередній перегляд:   Завантажити - 516.526 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Брус В. В. 
Визначення величини послідовного опору з вольт-фарадних характеристик [Електронний ресурс] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 2. - С. 492-499. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_2_38
Проаналізовано вплив послідовного опору структур із потенціальним бар'єром на їх ємнісні характеристики. Запропоновано метод визначення величини послідовного опору з вольтфарадних характеристик, виміряних у різних частот збуджувального сигналу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 221.217 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Брус В. В. 
Електричні властивості гетеропереходів ZnO/InSe та ZnO/GaSe [Електронний ресурс] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, В. В. Хом’як, В. М. Камінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 798-801. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_43
Досліджено основні електричні властивості гетеропереходів n-ZnO/n-InSe та n-ZnO/p-GaSe, виготовлених нанесенням тонкої плівки оксиду цинку за допомогою методу спрей-піролізу на свіжосколоті поверхні монокристалічних підкладок шаруватих напівпровідників InSe та GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу у досліджуваних гетеропереходах у випадку зворотного зміщення.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.175 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Брус В. В. 
Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe [Електронний ресурс] / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 4. - С. 1047-1051. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_4_38
Досліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури n-TiO2/p-GaSe, виготовленої нанесенням тонкої плівки діоксиду титану за допомогою методу реактивного магнетронного випаровування за постійної напруги на свіжосколоту поверхню монокристалічної підкладки шаруватого напівпровідника GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджуваний гетероперехід за прямого та зворотного зміщень.
Попередній перегляд:   Завантажити - 165.569 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Боледзюк В. Б. 
ІЧ-поглинання гідрованих шаруватих кристалів GaSe [Електронний ресурс] / В. Б. Боледзюк, В. М. Камінський, З. Д. Ковалюк, В. М. Склярчук, О. Ф. Склярчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 589-592. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_25
На установці ИКС-29 в області 2,5 - 22,5 мкм за T = 77 K проведено вимірювання спектрів пропускання вихідних і гідрованих із газової фази кристалів GaSe. Показано, що спостережувані смуги поглинання вихідного GaSe відповідають гармонікам другого та третього порядків активних ІЧ-фононів. Для гідрованих кристалів HxGaSe встановлено зміщення енергетичного положення смуг поглинання, появу лінії локальних коливань водневої підсистеми, а також збільшення пропускання в області <$E lambda~<<~12,5> мкм.
Попередній перегляд:   Завантажити - 153.46 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
13.

Камінський В. М. 
Структура та фізичні властивості шаруватих кристалів In2Se3Mn, InSeMn і InSeFe [Електронний ресурс] / В. М. Камінський, З. Д. Ковалюк, В. І. Іванов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 44-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_1_8
Проведено дослідження впливу магнітних домішок на властивості шаруватих кристалів In2Se3 і InSе. Показано можливість утворення твердого розчину заміщення в монокристалах <$E roman {In sub 2 Se sub 3 symbol ... 1 mas. % Mn symbol ъ}>, <$E roman {InSe symbol ... 0,5 mas. % Mn symbol ъ}>. Одержано температурні залежності електропровідності впоперек і вздовж кристалографічної осі C легованих кристалів в інтервалі 80 - 400 K. Розраховано величину енергетичного бар'єру між шарами <$E DELTA E sub delta> для <$E roman {In sub 2 Se sub 3 symbol ... Mn symbol ъ}> і <$E roman {InSe symbol ... Mn symbol ъ}>. Підтверджено феромагнітні властивості кристалів <$E roman {InSe symbol ... Fe symbol ъ}>.
Попередній перегляд:   Завантажити - 304.307 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Ковалюк З. Д. 
Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 78-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_11
Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0,5Cd0,5O - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0,5Cd0,5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0,5Cd0,5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 759.298 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
15.

Светлов В. Н. 
Анизотропия электросопротивления Bi93,99Mn6Fe0,01 [Електронний ресурс] / В. Н. Светлов, А. В. Терехов, В. Б. Степанов, А. Л. Соловьев, Е. В. Христенко, О. М. Ивасишин, А. Д. Шевченко, З. Д. Ковалюк // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 4. - С. 405-409. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_4_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 431.898 Kb    Зміст випуску     Цитування
16.

Ковалюк З. Д. 
Вплив інтеркаляції кобальтом на електричні властивості моноселеніду галію [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. Б. Боледзюк, В. В. Шевчик, В. В. Нетяга // Перспективні технології та прилади. - 2011. - Вип. 1. - С. 101-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2011_1_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.127 Mb    Зміст випуску     Цитування
17.

Боледзюк В. Б. 
Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [Електронний ресурс] / В. Б. Боледзюк, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, А. Д. Шевченко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01027-1-01027-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_29
Досліджено магнітні властивості шаруватих кристалів CoxInTe, інтеркальованих кобальтом електрохімічним способом в постійному градієнтному магнітному полі, а також морфологію ван-дер-ваальсівських поверхонь шарів цих кристалів. Встановлено, що в досліджуваних інтеркалатах на ван-дер-ваальсівських площинах міжшарового простору відбувається формування кластерів домішки, які складаються з наночастинок кобальту. В досліджуваних інтеркалатах CoxInTe за кімнатної температури виявлено магнітні властивості, характерні для магнітотвердих феромагнітних матеріалів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 297.932 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Ковалюк З. Д. 
Пористий вуглецевий матеріал з рослинної сировини як поляризаційна складова електродів суперконденсаторів [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, С. П. Юрценюк, І. І. Семенчук // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02017-1-02017-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_19
Розроблено поетапну активаційну технологію одержання нанопористого вуглецевого матеріалу з рослинної сировини органічного походження, яка надає змогу збільшити питому ємність активованого вуглецю на 35 - 40 %. Досліджено та встановлено основні характеристики вуглецевих матеріалів і одержано матеріал з рослинної сировини з питомою ємністю 200 Ф/г.
Попередній перегляд:   Завантажити - 268.307 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
19.

Катеринчук В. М. 
Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // International scientific journal. - 2016. - № 4(2). - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mnj_2016_4(2)__5
Попередній перегляд:   Завантажити - 848.074 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Ковалюк З. Д. 
Вплив активаційного реагента на параметри електродних матеріалів суперконденсатора [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, С. П. Юрценюк, І. І. Семенчук // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02052-1-02052-3. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_54
Одержано та досліджено нанопористий вуглецевий матеріал з органічної сировини рослинного походження з різними активаторами - KOH та ZnCl2. Встановлені основні енергоємнісні характеристики матеріалів, питомі ємності одержаних матеріалів з KOH та ZnCl2 активацією складають 205 Ф/г та 138 Ф/г відповідно.
Попередній перегляд:   Завантажити - 238.779 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського