Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (2)

Реферативна база даних (15)

Авторитетний файл імен осіб (1)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Катеринчук В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 16 Представлено документи з 1 до 16
1.	Катеринчук В. М. Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид–p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2013. - Т. 10, № 4. - С. 93-96. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2013_10_4_9 Досліджено температурну залежність коефіцієнта фотоплеохроїзму для гетеропереходу власний оксид - р-InSe. Зареєстровано різну температурну залежність зсуву довгохвильового краю фотоструму для двох орієнтацій поляризації: Е \|\| С і Е <$E symbol <94>> С. Попередній перегляд: Завантажити - 781.499 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Ковалюк З. Д. Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, О. С.. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 3(2). - С. 03027-1-03027-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_3(2)__3 Попередній перегляд: Завантажити - 353.248 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO–p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, В. В. Хомяк, І. Г. Орлецький, В. В. Нетяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 218-221. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_37 Попередній перегляд: Завантажити - 180.531 Kb Зміст випуску Цитування
4.	Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 78-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_11 Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0,5Cd0,5O - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0,5Cd0,5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0,5Cd0,5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу. Попередній перегляд: Завантажити - 759.298 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Катеринчук В. Н. Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS2-хSeх-InSe (0≤х≤1) [Електронний ресурс] / В. Н. Катеринчук, М. З. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2006. - № 2. - С. 41-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2006_2_11 Попередній перегляд: Завантажити - 404.488 Kb Зміст випуску Цитування
6.	Катеринчук В. М. Фоточутлива гетероструктура GaTe — наноструктурований діелектрик — InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, О. С. Литвин // International scientific journal. - 2016. - № 4(2). - С. 14-18. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mnj_2016_4(2)__5 Попередній перегляд: Завантажити - 848.074 Kb Зміст випуску Цитування
7.	Кудринський З. Р. Структура окислених і неокислених поверхонь шаруватих кристалів InTe [Електронний ресурс] / З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, Р. Л. Поцілуйко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04049-1-04049-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_51 Попередній перегляд: Завантажити - 352.574 Kb Зміст випуску Цитування
8.	Катеринчук В. М. Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Б. В. Кушнір, О. С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 3. - С. 03032-1-03032-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_3_34 За допомогою методу термічного окиснення напівпровідникової підкладки створено новий гетероперехід власний оксид - p-In₄Se₃. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудовано його якісну зонну діаграму. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар'єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Наведено також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу. Попередній перегляд: Завантажити - 502.555 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Катеринчук В. М. Гетеропереходи на основі власний оксид-p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, О. М. Сидор // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 66-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_16 Попередній перегляд: Завантажити - 230.387 Kb Зміст випуску Цитування
10.	Катеринчук В. М. Природний фотоплеохроїзм у гетеропереходах на основі InSe та GaSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Т. Г. Слободський // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2001. - Вип. 102. - С. 66-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2001_102_17 Попередній перегляд: Завантажити - 229.448 Kb Зміст випуску Цитування
11.	Катеринчук В. М. Вплив електрофізичних параметрів селеніду індія та режимів формування власного оксиду на властивості гетеропереходів оксид-p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, А. В. Заслонкін // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1998. - Вип. 40. - С. 86-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1998_40_29 Попередній перегляд: Завантажити - 241.112 Kb Зміст випуску Цитування
12.	Катеринчук В. М. Залежність спектрів фотовідгуку анізотропних кристалів InSe від їх кристалографічної орієнтації та стану поверхні [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Т. В. Беца // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 83-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_24 Попередній перегляд: Завантажити - 200.901 Kb Зміст випуску Цитування
13.	Катеринчук В. М. Механізм протікання струму і зонна діаграма гетеропереходу оксид-p-InSe, орієнтованого паралельно вісі с [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, Т. В. Беца // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 92. - С. 62-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_92_20 Попередній перегляд: Завантажити - 261.603 Kb Зміст випуску Цитування
14.	Ковалюк З. Д. Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In4Se3 [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, М. В. Товарницький // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 3. - С. 242-245. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_3_3 Попередній перегляд: Завантажити - 149.891 Kb Зміст випуску Цитування
15.	Ковалюк З. Д. Створення гетероструктури n-InSe-графіт [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, Р. Л. Поцілуйко, В. М. Катеринчук, В. В. Нетяга, В. М. Камінський // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 3. - С. 251-254. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_3_5 Попередній перегляд: Завантажити - 171.994 Kb Зміст випуску Цитування
16.	Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11 Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудовано енергетичну зонну діаграму гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe - n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм. Попередній перегляд: Завантажити - 1.034 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського