Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Реферативна база даних (19) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Ирха В$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 17 Представлено документи з 1 до 17 |
|||
| 1. | 
Чеботарев С. Н. Моделирование высоковольтных трехпереходных фотопреобразователей на основе аморфного и микрокристаллического кремния [Електронний ресурс] / С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко, М. Л. Лунина, В. А. Ирха // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2013. - № 3(5). - С. 29-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2013_3(5)__6 Предложена конструкция тонкопленочного трехпереходного фотопреобразователя на основе гидрированных и оксидированных слоев микрокристаллического и аморфного кремния <$E alpha>-Si:H(n - i - p)/<$E mu>с-SiO:H(n - i - p)/<$E mu>с-Si:H(n - i - p). Результаты численного моделирования указывают на возможность достижения 16 % кпд. | ||
| 2. | 
Касимов А. М. Исследование процесса очистки оборотных вод газоочисток металлургического производства от соединений цинка [Електронний ресурс] / А. М. Касимов, В. Н. Ирха // Экология и промышленность. - 2009. - № 4. - С. 61-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ekolprom_2009_4_13 Рассмотрены проблемы извлечения из оборотных вод газоочисток металлургического производства растворенных соединений цинка с использованием дешевых и недефицитных реагентов-осадителей, в частности силиката натрия и его технических разновидностей. Разработана аппаратурно-технологическая схема новой технологии для условий Мариупольского металлургического комбината им. Ильича. Определены расходные коэффициенты разработанной технологии. | ||
| 3. | 
Ирха В. И. Физическая природа адсорбционной чувствительности к водороду МДП- и МП-структур [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, И. М. Викулин, С. К. Крыськив // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2011. - № 2. - С. 83-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2011_2_13 | ||
| 4. |
Ирха В. И. Электрические характеристики водородочувствительных туннельних МДП-диодов и диодов Шоттки [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, И. М. Викулин, В.Ф. Михалаки // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2012. - № 1. - С. 53-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2012_1_11 | ||
| 5. |
Ирха В. И. Процессы, происходящие в полупроводниках при взаимодействии с газовой средой [Електронний ресурс] / В. И. Ирха // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2012. - № 2. - С. 49-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2012_2_10 Рассмотрены процессы, происходящие в полупроводниках при взаимодействии с газовой средой. Определены их физические механизмы, позволяющие найти информативные параметры процесса. | ||
| 6. |
Ирха В. И. МДП-транзисторы в качестве детекторов газов [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, К. В. Константинов // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2013. - № 2. - С. 62-65. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2013_2_11 | ||
| 7. |
Ирха В. И. МДП-конденсаторы чувствительные к различным газам [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, И. М. Викулин, К. В. Константинов // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2014. - № 1. - С. 50-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2014_1_9 | ||
| 8. |
Ирха В. И. Тонкопленочные резисторы в качестве газочувствительных датчиков [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, Ю. В. Ирха, К. В. Константинов // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2014. - № 2. - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2014_2_7 | ||
| 9. |
Ирха В. И. Влияние металлов и диэлектриков на чувствительность МДП-структур к водороду [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, И. М. Викулин // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2013. - № 1. - С. 22-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2013_1_6 Рассмотрена возможность использования металлов различной толщины и диэлектриков в МДП-структурах, чувствительных к водороду. | ||
| 10. |
Ирха В. И. Увеличение чувствительности фоторезисторов в магнитном поле [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, Ю. В. Ирха, С. И. Шишкова // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2015. - № 2. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2015_2_6 Рассмотрены возможности и физические принципы увеличения чувствительности фоторезисторов. Даны основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что основным путем увеличения чувствительности фоторезисторов является увеличение подвижности и эффективного времени жизни генерированных светом носителей заряда. Помещение фоторезистора в магнитное поле, направленное перпендикулярно электрическому току и световому потоку, увеличивает фоточувствительность в несколько раз. | ||
| 11. |
Ирха В. И. Оптический модулятор для многокомпонентных газоанализаторов промышленных выбросов [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, И. М. Викулин // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 2. - С. 5-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_2_3 Разработан германиевый ИК модулятор с глубиной модуляции до 80 % в диапазоне длин волн 1,8 - 20 мкм для многокомпонентных газоанализаторов промышленных выбросов. Приведены его характеристики: зависимость эффективности модуляции от величины тока инжекции и длительности импульсов. Показана перспективность применения данного модулятора в газоанализаторах, а также способы повышения его эффективности и однородности модуляции. | ||
| 12. |
Ирха В. И. Волоконно-оптические сенсоры как анализаторы различных газов [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, И. А. Слободянюк // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2017. - № 1. - С. 61-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2017_1_10 Показана возможность и перспективность создания волоконно-оптических сенсоров на основе современных достижений в оптоэлектронике, волновой оптике и электроскопии для определения концентрации различных газов в окружающей среде. Рассмотрена классификация таких датчиков, анализируется состояние данного вопроса в современной литературе. Показана перспективность применения волоконно-оптических датчиков при создании газоанализаторов нового поколения, имеющих существенные преимущества перед традиционными. | ||
| 13. |
Ирха В. И. Деградация электролюминесценции многослойных гетороструктур под действием ионизирующего излучения [Електронний ресурс] / В. И. Ирха // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2017. - № 2. - С. 5-11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2017_2_3 Проведено исследование деградации излучающих многослойных гетероструктур под действием g-излучения Co60. Изучены изменения вольтамперных характеристик таких структур, спектров излучения, ваттамперных и вольтваттных характеристик коротковолновой и длинноволновой полос электролюминесценции в процессе радиационной деградации. Показано, что использование повторного излучения для повышения квантовой эффективности многослойных гетероструктур уменьшает радиационную стойкость светодиодов. | ||
| 14. |
Ирха В. И. Радиационная деградация светоизлучающих диодов с переизлучением фотонов [Електронний ресурс] / В. И. Ирха // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2018. - № 1. - С. 152-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2018_1_21 Проведено исследование радиационной деградации светоизлучающих диодов с переизлучением фотонов на основе GaAlAs под действием g-излучения Co60. Особенности механизма генерации фотонов в исследованных светодиодах приводят к особеностям радиационной деградации данных структур. Облучение относительно небольшими дозами g-излучения Co60 позволяет контролируемо вводить безызлучательные центры рекомбинации в активную область светодиодов и в другие слои, участвующие в процессах генерации и вывода фотонов. Исследование характеристик в таких светодиодах при радиационной деградации необходимо для прогнозирования изменений их параметров при неконтролируемых вариациях концентрации указанных центров в процессе изготовления данных структур. Изучены зависимости интенсивности коротковолновой и длинноволновой полос оптических спектров излучения от интегрального потока g-квантов. Обнаружено, что интенсивность коротковолновой полосы оптических спектров таких диодов от потока g-квантов соответствует уменьшению безызлучательного времени жизни электронов. Показано, что скорость уменьшения длиноволновой полосы под действием g-облучения существенно выше, чем коротковолновой. Получено, что изменением оптических потерь под действием радиации в светодиодах с переизлучением фотонов можно пренебречь. Использование таких диодов позволяет разделить деградационные процессы. | ||
| 15. |
Ирха В. И. Акусто – и оптоэлектронные газочувствительные датчики [Електронний ресурс] / В. И. Ирха, П. Ю. Марколенко, А. А. Назаренко, И.А. Слободянюк // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2015. - № 1. - С. 12-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2015_1_4 | ||
| 16. |
Ирха В. И. Флуктуационные процессы в варикапах [Електронний ресурс] / В. И. Ирха // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2016. - № 1. - С. 15-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2016_1_4 Рассмотрены возможности и физические принципы для определения методов отбраковки ненадежных варикапов по их электрошумовым характеристикам. Приведены основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что физической основой метода прогнозирования отказов варикапов по их низкочастотным шумам является зависимость уровня шума от наличия дефектов структуры и качества контактов изделия. Повышенный уровень собственных шумов приборов несет информацию о наличии тех или иных дефектов. | ||
| 17. |
Ирха В. И. Методы повышения эффективности и надежности излучающих диодов на основе GaInAsP [Електронний ресурс] / В. И. Ирха // Наукові праці ОНАЗ ім. О. С. Попова. - 2019. - № 1. - С. 12-22. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nponaz_2019_1_4 Величина квантового выхода электролюминесценции полупроводниковых излучателей оптического диапазона определяется параметрами нескольких этапов процесса преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения. Для повышения эффективности и стабильности излучающих диодов исследовались потери на отдельных этапах указанного процесса. При получении сведений о распределении примесей в p - n-переходах светоизлучающих диодов измерялись вольтфарадные характеристики. В исследованных излучателях получено линейное распределение примеси в p - n-переходе. Изучены электрические и электролюминесцентные характеристики излучающих диодов на основе GaInAsP. Проведено выяснение механизма деградации диодов при токовой их тренировке в течение 3000 час., при различных плотностях тока и температурах на интенсивность излучения, измеряемую при низком и высоком уровнях инжекции, на величину фототока p - n-переходов и на их электрические характеристики. Показано, что деградация исследованных излучателей обусловлена изменением соотношения между излучательной и безызлучательной компонентами тока в p-n-переходах, а также изменением времени жизни электронов в активной области гетероструктур. Кинетика деградации диодов объясняется дрейфом заряженных дефектов в электрическом поле. Получено, что уменьшение квантовой эффективности диодов на основе GaInAsP при снижении уровня инжекции связано с наличием локальных сужений p - n-переходов. Показано, что для уменьшения деградации излучающих диодов и для повышения их квантовой эффективности при низких уровнях инжекции необходимо уменьшить концентрацию остаточных примесей и дефектов кристаллической решетки в используемых полупроводниковых гетероструктурах.Величина квантового выхода электролюминесценции полупроводниковых излучателей оптического диапазона определяется параметрами нескольких этапов процесса преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения. Для повышения эффективности и стабильности излучающих диодов исследовались потери на отдельных этапах указанного процесса. При получении сведений о распределении примесей в p - n-переходах светоизлучающих диодов измерялись вольтфарадные характеристики. В исследованных излучателях получено линейное распределение примеси в p - n-переходе. Изучены электрические и электролюминесцентные характеристики излучающих диодов на основе GaInAsP. Проведено выяснение механизма деградации диодов при токовой их тренировке в течение 3000 час., при различных плотностях тока и температурах на интенсивность излучения, измеряемую при низком и высоком уровнях инжекции, на величину фототока p - n-переходов и на их электрические характеристики. Показано, что деградация исследованных излучателей обусловлена изменением соотношения между излучательной и безызлучательной компонентами тока в p-n-переходах, а также изменением времени жизни электронов в активной области гетероструктур. Кинетика деградации диодов объясняется дрейфом заряженных дефектов в электрическом поле. Получено, что уменьшение квантовой эффективности диодов на основе GaInAsP при снижении уровня инжекции связано с наличием локальных сужений p - n-переходов. Показано, что для уменьшения деградации излучающих диодов и для повышения их квантовой эффективности при низких уровнях инжекции необходимо уменьшить концентрацию остаточных примесей и дефектов кристаллической решетки в используемых полупроводниковых гетероструктурах. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |