Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Заячук Д$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
1. |
Большакова І. А. Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів [Електронний ресурс] / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. Я. Серкіз, Р. М. Стецко, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 107-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_20 Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук за допомогою методу хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів і поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія надає можливість одержувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів.
| 2. |
Заячук Д. М До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVBVI, вирощуваних з легованих розплавів [Електронний ресурс] / Д. М Заячук, О. С. Ільїна // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 54-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_9 Проаналізовано результати немонотонного розподілу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) у кристалах AIVBVI, вирощених з розплаву зв допомогою методу Бріджмена і легованих домішками в процесі росту. Аналіз проведено в межах лінійної та квадратичної залежностей температури ліквідусу TL і температури солідусу TS системи AIVBVI - домішка РЗЕ від вмісту домішки x за малої концентрації домішки. Показано, що нелінійність залежностей TL(x) і TS (x) суттєво змінює профілі розподілу домішки вздовж легованих кристалів, але за фізично обгрунтованих залежностей температур ліквідусу і солідусу від концентрації домішки не може призводити до немонотонного характеру профілів її розподілу. Зроблено висновок, що немонотонності типу максимуму на координатній залежності концентрації легуючої домішки РЗЕ в легованих кристалах AIVBVI спричинені не характером діаграм стану AIVBVI - домішка РЗЕ, а мають сугубо технологічне походження. Припущено, що найбільш імовірною причиною немонотонності концентраційних профілів розподілу легуючих домішок РЗЕ вздовж легованих кристалів AIVBVI є формування комплексів легуючої і фонових домішок в кристалі, в першу чергу - комплексів домішок РЗЕ і кисню, який завжди присутній у процесі вирощування кристалів PbTe з розплаву.
| 3. |
Заячук Д. М. Концентрація домішки Європію і магнітні властивості легованих кристалів PbTe:Eu [Електронний ресурс] / Д. М. Заячук, О. С. Ільїна, В. І. Микитюк, В. В. Шлемкевич, D. Kaczorowski // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 3. - С. 475-481. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_3_7 10208 см-3, в області низьких температур 17 - 10 K у діапазоні магнітних полів H = 0 - 5 x 104 Е проведено дослідження польових залежностей намагніченості M і температурних залежностей магнітної сприйнятливості chi легованих кристалів PbTe:Eu. На підставі сукупного аналізу залежностей M(H) і chi(T) зроблено висновок про існування в досліджуваних кристалах парамагнітних центрів з нетиповим поєднанням температурної та польової поведінки намагніченості - парамагнітна сприйнятливість центрів не залежить від температури, але зменшується з ростом напруженості магнітного поля. Вклад виявлених центрів у намагніченість легованого PbTe:Eu є суттєвим у випадку низької концентрації домішки Eu. Якщо вміст Eu в кристалах PbTe:Eu переважає величину порядку 1019 см-3, вплив центрів на магнітні характеристики кристалів маскується високою намагніченістю, спричиненою іонами Eu2+. Припускається, що виявленими парамагнітними центрами в кристалах PbTe:Eu є власні дефекти кристалічної гратки.
|
|
|