Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Ерин Ю$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Ерин Ю. С. Фазовая диаграмма резистивного состояния узкого сверхпроводящего канала в режиме заданного напряжения [Електронний ресурс] / Ю. С. Ерин, В. Н. Фенченко, Е. В. Ильичев // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 2. - С. 168-177. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_2_9 На основании численного решения нестационарных уравнений Гинзбурга - Ландау исследована эволюция параметра порядка сверхпроводящих каналов различных длин под действием прикладываемого напряжения (режим заданного напряжения). Рассчитаны вольтамперные характеристики каналов различных длин и установлены причины возникновения на них характерных неупорядоченных осцилляций. Для очень длинных каналов в определенном диапазоне напряжений обнаружена хаотическая динамика параметра порядка. Построена наиболее полная и детальная фазовая диаграмма резистивного состояния сверхпроводящего канала в режиме заданного напряжения.
| 2. |
Ерин Ю. С. Джозефсоновские системы на основе баллистических микроконтактов между однозонными и многозонными сверхпроводниками [Електронний ресурс] / Ю. С. Ерин, А. С. Кийко, А. Н. Омельянчук, Е. Ильичев // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 11. - С. 1133-1147. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_11_8 Исследован эффект Джозефсона в баллистических микроконтактах между однозонными и многозонными сверхпроводниками. Установлено, что джозефсоновский контакт (ДК) между однозонным и s+--волновым двухзонным, а также между однозонным и трехзонным сверхпроводниками испытывает фрустрацию, демонстрируя свойства phi-контакта. Обнаружено, что в зависимости от основного состояния трехзонного сверхпроводника с нарушением симметрии относительно обращения времени энергия ДК может иметь от одного до трех минимумов. Построена теория СКВИДа постоянного тока (ПТ) на основе ДК между однозонными и многозонными сверхпроводниками. Обнаружены особенности на зависимостях критического тока и полного магнитного потока от приложенного потока в ПТ СКВИДе на основе джозефсоновских микроконтактов между однозонным и s+--волновым сверхпроводниками, между однозонным и трехзонным сверхпроводниками с нарушением симметрии относительно обращения времени, а также между однозонным и трехзонным сверхпроводником без нарушения симметрии относительно обращения времени в сравнении с обычным пт СКВИДом на основе ДК между однозонными сверхпроводниками. Полученные результаты можно использовать для детектирования существования многозонности и реализации явления нарушения симметрии относительно обращения времени.
| 3. |
Ерин Ю. С. Динамика резистивного состояния узкого сверхпроводящего канала в режиме заданного переменного напряжения [Електронний ресурс] / Ю. С. Ерин, В. Н. Фенченко // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 12. - С. 1316-1326. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_12_6 В рамках нестационарных уравнений Гинзбурга - Ландау исследована динамика параметра порядка в узких сверхпроводящих каналах различной длины в режиме заданного переменного напряжения. Резистивное состояние системы на малых частотах подаваемого напряжения характеризуется образованием периодических во времени групп из осциллирующих центров проскальзывания фазы (ЦПФ). Увеличение частоты сокращает время существования этих периодических групп. В зависимости от длины канала переменное напряжение либо стремится вернуть канал в состояние с одним центральным ЦПФ в периодических группах, либо минимизирует количество образовывающихся ЦПФ и упорядочивает их расположение в системе. Дальнейшее увеличение частоты для относительно коротких каналов приводит к подавлению параметра порядка без формирования ЦПФ. Для систем, чья длина превосходит установленный нами предел, образование ЦПФ происходит спустя определенное время, которое быстро увеличивается с ростом частоты. Рассчитаны вольт-амперные характеристики относительно короткого канала для различных частот прилагаемого переменного напряжения. Обнаружена ступенчатая структура этих зависимостей, при этом высота первой ступеньки определяется учетверенным значением джозефсоновской частоты.
| 4. |
Ерин Ю. С. Эффект близости и эффект Джозефсона в микроструктурах на основе многозонных сверхпроводников (Обзор) [Електронний ресурс] / Ю. С. Ерин, А. Н. Омельянчук // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 9. - С. 1263-1294. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_9_3 Возникнув в 50-е годы XX века многозонная сверхпроводимость длительное время рассматривалась как приближенная модель в виде обобщения теории БКШ на случай двух зон для более точного количественного описания свойств и характеристик сверхпроводников, таких как купраты, тяжелофермионные соединения, борокарбиды, фуллериды, рутенат стронция и др. ввиду их сложной кусочно-непрерывной поверхности Ферми. Однако обнаружение многозонной структуры сверхпроводящего состояния в дибориде магния в 2001 г. и оксипниктидах и халькогенидах железа в 2008 г. привело к появлению большого количества работ, в которых были заново исследованы эффекты и различные зависимости, хорошо известные для обычных однозонных s-волновых сверхпроводников. Основная цель этих исследований заключается в выявлении типа симметрии параметра порядка, дающего важную информацию о механизме спаривания куперовских пар в данных сверх-проводниках. Одним из наиболее эффективных способов получения информации о симметрийных свойствах параметра порядка в многозонных сверхпроводниках являются фазочувствительные методики. В обзоре просуммированы результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта близости и эффекта Джозефсона в системах на основе многозонных сверхпроводников, контактирующих с нормальными металлами, изоляторами и другими сверхпроводниками.
|
|
|