Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Журнали та продовжувані видання (1) | Автореферати дисертацій (1) | Реферативна база даних (21) | Авторитетний файл імен осіб (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Галій П$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 15 Представлено документи з 1 до 15 |
|||
| 1. | 
П'янило Я. Залежність швидкості фільтрації газу від тиску в околах свердловин газоносних пластів [Електронний ресурс] / Я. П'янило, П. Галій, Н. Лопух, Г. П’янило // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології. - 2010. - Вип. 12. - С. 144-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Fmmit_2010_12_17 Досліджено процеси фільтрації газу в пористих середовищах складної структури, зокрема, підземних сховищах газу, циліндричної форми за наявності зосереджених джерел і різних початкових і граничних умов. Зосередженими джерелами є робочі свердловини, через які відбирають або закачують газ у пласт підземного сховища. Одержані результати можна використати для дослідження фільтраційних властивостей околу свердловини, визначення її дебіту залежно від розподілу тиску. Останнє, своєю чергою, дозволяє розраховувати параметри роботи сховища в піковий період. | ||
| 2. |
П’янило Я. Розрахунок поля швидкостей руху газу в пластах підземних сховищ на основі методу скінченних елементів [Електронний ресурс] / Я. П’янило, Н. Лопух, П. Галій // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології. - 2011. - Вип. 14. - С. 124-132. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Fmmit_2011_14_17 | ||
| 3. | 
Галій П. В. Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 [Електронний ресурс] / П. В. Галій // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - Т. 5, № 3. - С. 245-255. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2014_5_3_3 Наведено результати структурних досліджень шарувато-ланцюжкових напівпровідникових кристалів In | ||
| 4. | 
Галій П. В. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [Електронний ресурс] / П. В. Галій, Т. М. Ненчук, І. Р. Яровець // Журнал нано- та електронної фізики. - 2014. - Т. 6, № 2. - С. 02029(7). - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2014_6_2_31 За допомогою методів скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій (СТМ, АСМ) та дифракції повільних електронів (ДПЕ) на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання (ПС) (100) шаруватих кристалів (ШК) In | ||
| 5. | 
Галій П. В. Вплив областей просторового заряду на релаксаційну емісію електронів опромінених електричних поверхонь [Електронний ресурс] / П. В. Галій, О. Я. Тузяк, О. П. Поплавський, О. В. Цвєткова // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 38-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_6 На базі теоретично розрахованих характеристик енергетичних спектрів народжених екзоелектронів у широкозонних кристалах CsI за допомогою методу Монте-Карло досліджено вплив областей просторового заряду та електрон-фононних взаємодій на транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів. Застосовуючи комп'ютерне моделювання процесів розсіяння на LO-фононах за присутності однорідного електричного прискорювального поля, одержано модельні енергетичні спектри екзоелектронів, що досягли поверхні, як межі розділу. Спектри демонструють, що енергії, набуті екзоелектронами за їх дрейфового руху у приповерхневому шарі і які досягли поверхні, можуть бути достатні для подолання ними поверхневого енергетичного бар'єру та виходу з кристала (екзоемісії). | ||
| 6. |
Галій П. В. Растрова електронна та атомно-силова мікроскопії радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електрон¬ному опроміненні [Електронний ресурс] / П. В. Галій, Т. М. Ненчук, О. П. Поплавський, О. Я. Тузяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 3. - С. 827-835. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_3_48 Наведено результати дослідження за допомогою методів растрової електронної та атомно-силової (АСМ) мікроскопій закономірностей процесів деструкції, дефектоутворення та радіолізу поверхні плівок СsI у процесі опромінення електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено потужності та дози опромінення, за яких відбувається поява фазових наноутворень і нано- та мікропор на поверхні CsI, що одержано вперше за допомогою методу АСМ на нанорівні. Встановлено дози електронного опромінення, за яких має місце радіоліз поверхні плівок CsI з "виділенням" нано- та мікрофаз і формування наноутворень на них. | ||
| 7. |
Галій П. В. Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень [Електронний ресурс] / П. В. Галій, О. Я. Тузяк, О. В. Цветкова, І. Р. Яровець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 519-526. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_12 Проведено дослідження динаміки зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI і KCl під впливом електронного та опромінення неодимовим ІЧ-лазером. Встановлено, що за низьких температур опромінюваних поверхонь зміна стехіометрії поверхні CsI і KCl визначається переважно електронними механізмами розпилення галогену, й обидві поверхні збагачуються металічною компонентою. Якщо на поверхні кристалів досягаються температури, близькі до температур плавлення, зміна стехіометрії визначається швидкостями дифузії до поверхні та випаровування компонент, тоді поверхня CsI збагачується галогеном, а KCl - металом. Вказані процеси носять квазіперіодичний характер залежно від флюенса та дози опромінення. | ||
| 8. | 
Тузяк О. Я. Загасання механоекзо-електронної емісії з поверхонь сколювання номінально чистих та леґованих кристалів калій хлориду [Електронний ресурс] / О. Я. Тузяк, М. І. Лосик, М. С. Каркульовська, П. В. Галій // Вісник Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. Серія : Хімія. - 2015. - Вип. 19. - С. 24-31. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vpnu_chem_2015_19_6 | ||
| 9. |
Галій П. В. Первнево-фазовий склад міжшарових поверхонь сколювання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем [Електронний ресурс] / П. В. Галій, І. Р. Яровець, Сімон Франк, Я. М. Бужук, В. Л. Фоменко // Вісник Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. Серія : Хімія. - 2015. - Вип. 19. - С. 32-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vpnu_chem_2015_19_7 | ||
| 10. | 
Галій П. В. Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In4Se3, інтеркальованих сріблом [Електронний ресурс] / П. В. Галій, Т. М. Ненчук, А. Ціжевський, П. Мазур, Я. М. Бужук, І. Р. Яровець // Металлофизика и новейшие технологии. - 2013. - Т. 35, № 8. - С. 1031-1043. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MPhNT_2013_35_8_5 Полученные методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) изображения поверхностей скалывания (100) слоистого кристалла In | ||
| 11. |
Галій П. В. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем [Електронний ресурс] / П. В. Галій, П. Мазур, А. Ціжевський, І. Р. Яровець, Т. М. Ненчук, Ф. Сімон, Я. М. Бужук, В. Л. Фоменко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 1. - С. 01012-1-01012-11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_1_14 Наведено результати експериментального дослідження елементно-фазового складу та кристалографії і топографії, а також електронно-енергетичної структури міжшаровнх поверхонь сколювання (ПС) (0001) шаруватих кристалів (ШК) InSe, інтеркальованих нікелем (інтеркалатів Ni3dInSe) за допомогою методів якісної та кількісної X-променевої фотоелектронної спектроскопії (XФЕС), дифракції повільних електронів (ДПЕ), а також скануючої тунельної мікроскопії/скануючої тунельної спектроскопії (СТМ/СТС). Встановлено, що для всіх ШК інтеркалатів із різною концентрацією нікелю у вихідних синтезованих сплавах InSe + x ат.% Ni (x ≤ 10,0 %) і вирощених із них за методом Бріджмена - Стокбаргера ШК і підданих інтеркалюванню, максимальна концентрація нікелю на ПС (0001) інтеркалатів NixInSe і, відповідно, у міжшарових щілинах у кількості до 7,67 ат.% спостерігається у разі 0,75 ат.% нікелю у синтезованих сплавах. Нікель не взаємодіє зі селеном та індієм, також відсутні взаємодії з киснем та вуглецем. Встановлено, що нікель розмішується у міжшаровнх щілинах інтеркалатів NixInSe і, відповідно, виявляється на міжшарових ПС (0001), і представляє собою дрібнодисперсну фазу металевих кластерів нікелю. Досліджувана пітеркалатна система NuInSe являє собою досконалу гібридну структуру з можливістю її використання в магнітоелектроніці. | ||
| 12. | 
Галій П. В. Структурні дослідження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 методом дифракції повільних електронів [Електронний ресурс] / П. В. Галій, Я. Б. Лозовий, Т. М. Ненчук, І. Р. Яровець // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 6. - С. 613-622. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_6_9 За допомогою методу дифракції повільних електронів на відбивання досліджено стабільність структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In | ||
| 13. |
Галій П. В. Особливості нікелевих наноструктур, сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe [Електронний ресурс] / П. В. Галій, І. Р. Яровець, Т. М. Ненчук, П. Мазур, А. Ціжевський, О. Р. Дверій // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2018. - Т. 9, № 1. - С. 46-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2018_9_1_7 Наведено результати експериментального дослідження особливостей формування нікелевих наноструктур в інтеркалатах Ni | ||
| 14. |
Галій П. В. Особливості наносистем на основі халькогенідних напівпровідників з природними наноструктурованими матрицями [Електронний ресурс] / П. В. Галій, І. Р. Яровець, О. Р. Дверій // Вісник Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника. Серія : Хімія. - 2017. - Вип. 21. - С. 44-49. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vpnu_chem_2017_21_4 | ||
| 15. | 
Галій П. В. Енерґетичний спектр та ймовірність виходу екзоелектронів у рекомбінаційній моделі екзоемісії [Електронний ресурс] / П. В. Галій, О. Я. Мельник // Журнал фізичних досліджень. - 2003. - Т. 7, Число 1. - С. 84-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2003_7_1_8 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |