Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (6) | Реферативна база даних (47) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Баранський П$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 28 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | 
Баранський П. Книга українця, перекладена з німецької : Смакула Олександр. Монокристали: вирощування, виготовлення та застосування. - К.: Рада, 2000. - 428 с. Пер. з німецької. [Електронний ресурс] / П. Баранський, Л. Доценко // Вісник Національної академії наук України. - 2001. - № 5. - С. 70-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2001_5_16 | |||
| 2. |
Мачулін В. Фундаментальна наука і суспільний поступ [Електронний ресурс] / В. Мачулін, П. Баранський // Вісник Національної академії наук України. - 2007. - № 2. - С. 45-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2007_2_4 | |||
| 3. | 
Баранський П. І. Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповiдi Національної академії наук України. - 2010. - № 11. - С. 77-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2010_11_15 Експериментально доведено, що в сильно легованих монокристалах n | |||
| 4. | 
Баранський П. І. Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 54-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_4 Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоерс <$E DELTA alpha~=~alpha sub ||~-~alpha sub symbol <94>> у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації (при X || J || [111] в n-Ge і X || J || [100] в n-Si), а також зв'язки, які існують між параметрами анізотропії термоерс <$E М~=~alpha sub || sup roman ф "/" alpha sub symbol <94> sup roman ф> і анізотропії рухливості <$E K~=~mu symbol <94> "/" mu sub ||>. Показано, як вказані параметри, що характеризують анізотропію відповідних величин, можна одержати з вимірів величин на макрорівні (тобто з вимірів питомого опору <$E rho sub 0> і <$E rho sub inf>, а також термоЕРС <$E alpha sub 0> і <$E alpha sub inf>) у багатодолинних недеформованих і направлено-деформованих (у разі механічного навантаження <$E X~symbol О~inf>) напівпровідниках. Проведено зіставлення параметрів К і М, виміряних на монокристалах n-Si, легованих домішкою фосфору через розплав та шляхом ядерної трансмутації, що виникає при опроміненні кристалів кремнію тепловими нейтронами. | |||
| 5. |
Баранський П. І. Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 42-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_7 При 77,4 К на зразках n-Si(P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору <$E rho sub x "/" rho sub 0> залежно від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах <$E 0~symbol Г~X~symbol Г~0,8> ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 <$E symbol Р>C, а другий раз - при 650 <$E symbol Р>C протягом різних проміжків часу (в інтервалі <$E 0~symbol Г~t~symbol Г~45> год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду <$E mu> та параметра анізотропії рухливості <$E К~=~mu sub symbol <94> "/" mu sub ||> у монокристалах n-Si(P) залежно від часу їх термовідпалу (в межах <$E 0~symbo Г~t~symbol Г~10> год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 <$E symbol Р>C). | |||
| 6. |
Баранський П. І. Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 69-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_8 Особливості розмірів та структури нанооб'єктів обумовлюють ряд їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки і порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях, сумірних з міжатомними, ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас; і т. ін. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень за умови зміни температурних умов. Обговорено застережні заходи з метою зменшення темпів процесів деградації наноструктур.Розглянуто основні особливості нанооб'єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У випадках, коли вияв термічної і радіаційної нестійкості усунути не можна (а такі випадки в практиці радіаційної фізики є домінуючими), розглянуто шляхи мінімізації впливу цих нестабільностей на основні властивості напівпровідникових НО.Зазначено, що особливості розмірів і структури нанооб'єктів обумовлюють низку їх специфічних властивостей. Так, високорозвинена поверхня призводить до підвищеної хімічної активності; високий рівень неоднорідності спричиняє відсутність сталої гратки та порушення трансляційної симетрії; величина власних варіацій потенціалу на відстанях сумірних з міжатомними ставить під сумнів обгрунтованість застосування методу ефективних мас тощо. Наявність гігантських механічних напружень і невідповідність коефіцієнтів термічного розширення можуть стимулювати процеси структурних порушень у разі зміни температурних умов. Розглянуто застережні заходи з метою зниження темпів процесів деградації наноструктур. | |||
| 7. |
Асніс Ю. А. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки [Електронний ресурс] / Ю. А. Асніс, П. І. Баранський, В. М. Бабич, Н. В. Піскун, І. І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 57-61. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_8 Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (Р) і фонової (О) домішок в монокристалах Si, одержаних за допомогою методу електронно-променевої безтигельної зонної плавки. | |||
| 8. | 
Гайдар Г. П. Тензоопір багатодолинних напівпровідників n-Si та n-Ge у широкому інтервалі концентрацій [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський, В. В. Коломоєць // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 58-62. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_1_10 За температури Т = 77,4 K досліджено тензоопір монокристалів n-Si і n-Ge в широкому інтервалі концентрацій <$E 10 sup 14~symbol Г~n sub e~symbol Г~2~cdot~10 sup 19> см<^>-3 | |||
| 9. |
Баранський П. І. Визначення параметра анiзотропiї термоерс захоплення в багатодолинних напiвпровiдниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2012_10_13 | |||
| 10. |
Баранський П. І. Концентрацiйна залежнiсть тензоопору монокристалiв n−Si [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2013_9_15 | |||
| 11. |
Баранський П. І. Вплив високотемпературного вiдпалу на параметри анiзотропiї рухливостi i анiзотропiї термо-ЕРС захоплення електронiв фононами в n−Si [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2014_5_14 | |||
| 12. |
Гайдар Г. П. Експериментальний доказ незмiнностi форми iзоенергетичних елiпсоїдiв n–Ge в умовах сильної одновiсної пружної деформацiї [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2015_6_11 | |||
| 13. | 
Баранський П. І. Анізотропія термоелектричних властивостейбагатодолинних напівпровідників кубічної симетрії під впливом зовнішніх спрямованих дій [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2014. - № 1. - С. 13-27. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2014_1_4 | |||
| 14. |
Гайдар Г. П. Вплив термообробки на параметр анізотропії термоЕРС захоплення трансмутаційно легованих кристалів кремнію [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Термоелектрика. - 2016. - № 4. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2016_4_3 Показано, що за співпадаючих (у межах похибок вимірів) величин параметра анізотропії рухливості <$EK~=~mu sub { symbol <94> } ~"/" mu sub ||>, значення параметра анізотропії термоерс <$EM~=~alpha sub || sup Ф "/" alpha sub { symbol <94> } sup Ф> у трансмутаційно легованих зразках n-Si є значно нижчими, ніжу кристалах n-Si, легованих тієї ж домішкою фосфору, але через розплав. Встановлено, що проведений на трансмутаційно легованих кристалах n-Si високотемпературний відпал за температури <$ET sub відп ~=~1200~symbol Р roman C>, незалежно від його тривалості (в інтервалі 2 - 72 год), призводить до зростання величини параметра M, причому цей ефект був більш яскраво виражений за швидкого охолодження (зі швидкістю ~ <$E1000~symbol Р roman C "/" хв>) від T | |||
| 15. |
Гайдар Г. П. Про деякі особливості анізотропії термоЕРС у недеформованих і пружно деформованих монокристалах n Si та n Ge [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Термоелектрика. - 2015. - № 6. - С. 34-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2015_6_5 У межах теорії анізотропного розсіяння детально проаналізовано механізми виникнення анізотропії термоерс у багатодолинних недеформованих і направлено деформованих напівпровідниках (n-Si та n-Ge) за наявності градієнта температури. Визначено тензор термоерс за умов <$Egrad T~symbol Щ~0> на основі використання узагальненого закону Ома. | |||
| 16. |
Баранський П. І. Деякі термоелектричні особливості звичайних і трансмутаційно легованих кристалів кремнію [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2012. - № 1. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_1_3 Визначено параметр анізотропії термоерс захоплення M у монокристалах n | |||
| 17. |
Баранський П. І. Анізотропія термоЕРС захоплення електронів фононами в n-Ge [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2012. - № 2. - С. 29-38. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2012_2_4 Досліджено концентраційну залежність фононної складової термоерс захоплення електронів фононами в n | |||
| 18. |
Баранський П. І. Теорія анізотропного розсіяння й актуальні задачі кінетики електронних процесів у багатодолинних напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Термоелектрика. - 2013. - № 2. - С. 19-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2013_2_5 Викладено фізичні основи теорії анізотропного розсіяння. Звернуто увагу дослідників на вигідну їх відмінність від інших теорій, яка полягає у придатності її практичного застосування в області проміжних магнітних полів (<$E mu roman H "/" с~symbol Ы~1>), у якій використовування інших теорій виявляється малоефективними. | |||
| 19. |
Гайдар Г. П. Концентраційні залежності параметра анізотропії рухливості K = μ┴/μ|| і параметра анізотропії термоЕРС захоплення електронів фононами M = α||ф/α┴ф В n-Ge та n-Si [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Термоелектрика. - 2014. - № 5. - С. 22-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2014_5_5 У діапазоні <$E 10 sup 12 ~symbol Г~ n sub e ~symbol Г~2~cdot~10 sup 15~ roman см sup -3> за T = 83 К досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії рухливості <$E K~=~ mu sub {symbol <94>} "/" mu sub ||> анізотропії термоерс захоплення електронів фононами <$E M ~=~ alpha sub || sup ф "/" alpha sub {symbol <94>} sup ф> у монокристалах n-Ge та виявлено суттєві відмінності цих залежностей від спостережуваних (за аналогічних умов) у монокристалах n-Si. Встановлено, що монокристали n-Ge характеризуються значно вищими (за абсолютною величиною) значеннями параметрів анізотропії М і К порівняно з відповідними значеннями цих параметрів для n-Si. Показано, що параметр М в n-Ge (на відміну від n-Si) є малочутливим до наявності домішок у кристалах, однак параметр К монотонно знижується як в n-Ge, так і в n-Si зі зростанням концентрації носіїв заряду <$E n sub e>. | |||
| 20. |
Гайдар Г. П. Вплив iзовалентної домiшки Ge i термовiдпалiв на електрофiзичнi властивостi кристалiв кремнiю [Електронний ресурс] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2016. - № 7. - С. 62-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2016_7_11 | |||
| ||||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |