 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>I=Ж69219:Фіз.Ел./2000/79<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
 |
Науковий вісник Чернівецького університету : зб. наук. пр..- Чернівці. Фізика, електроніка
Naukovy Visnyk Chernivetskogo Universitetu: Zbirnyk Naukovyh Prats. Fizyka. Elektronika- Титул.
- Зміст.
- Войцехівська О. М., Головацький В. А., Міхальова М. Я., Ткач М. В., Фартушинський Р. Б. Властивості фононних спектрів деяких сферичних наногетеросистем. - C. 5-11.
- Гуцул І. В. Дослідження вольт-ватної чутливості анізотропного оптикотермоелемента при антипаралельних напрямках градієнта температури та променевого потоку. - C. 12-14.
- Грушка О. Г., Горлей П. М., Грушка З. М., Іваночко М. М. Кінетичні ефекти у власному напівпровіднику Hg3In2Te6 при врахуванні розсіювання носіїв заряду на нейтральних центрах і акустичних фононах. - C. 15-18.
- Волянська Т. А., Грицюк Б. М., Мошкова Т. С., Раренко І. М., Стребежев В. М., Паламар Т. В. Фотоелектричні властивості епітаксійних гомо- і гетероструктур на основі In4(Se3)1-xTe3x. - C. 19-21.
- Стребежев В. М., Раренко І. М., Куликовська С. М., Дремлюженко С. Г. Вплив умов отримання на стабільність багатошарових інтерференційних покриттів на базі CdSb. - C. 22-24.
- Романюк Б. М., Попов В. Г., Мельник В. П., Клюй М. І., Горбулик В. І., Оберемок О. С. Вплив термічних обробок на час життя нерівноважних носіїв заряду в Cz-Si. - C. 25-29.
- Горлей П. М., Демич М. В., Махній В. П., Ульяницький К. С., Хорват Ж. Електричні і фотоелектричні властивості діодів на основі CdxZn1-xTe. - C. 30-34.
- Сльотов М. М. Крайова люмінесценція GaN. - C. 35-36.
- Варцаб'юк О. М., Горлей П. М., Гречко В. О., Орлецький І. Г. Оптичні властивості плівок CuInS2, вирощених методом пульверизації. - C. 37-39.
- Ангельський О. В., Бесага Р. М., Коновчук О. В., Мохунь І. І. Отримання вихрових пучків. - C. 40-42.
- Полянський П. В. Про особливості реалізації ефекту віртуального темного поля у юнгівській голографії. - C. 43-48.
- Новіков Л. М., Політанський Л. Ф., Ляшенко О. Ф., Паламарчук Д. О. Дослідження механізмів деградації та забезпечення надійності потужних ПМОН-структур. - C. 49-52.
- Бурачек В. Р., Зорій М. В., Савицький А. В. Виготовлення фоточутливих плівок CdTe і дослідження їх характеристик. - C. 53-55.
- Паранчич C. Ю., Андрійчук М. Д., Радевич Н. Я. Вирощування кристалів CdxHg1-xTe:V (х=0,9-0,95) та їх фізичні властивості. - C. 56-58.
- Возний М. В., Горлей П. М. Моделювання процесу довготривалої релаксації фотопровідності у напівпровіднику після радіаційного опромінення. - C. 59-61.
- Пирога С. А. Механізм перезарядки мідних центрів у монокристалах CdJ2, легованих CuJ. - C. 62-64.
- Литвинчук І. В., Струк Я. М., Раранський М. Д., Фодчук І. М. Вплив зосередженої сили на формування товщинних осциляцій інтенсивності. - C. 65-68.
- Борча М. Д., Гарабажів Я. Д., Раранський М. Д., Ткач О. О., Фодчук І. М. Вплив спотворення вхідної поверхні на чотирихвильове розсіяння X-променів у Ge. - C. 69-72.
- Новіков С. М., Раранський М. Д., Федорцов Д. Г., Фодчук І. М. Зображення дислокацій і мікродефектів на секційних топограмах в акустично збудженому кристалі. - C. 73-76.
- Савицький П. І., Ковалюк З. Д., Мінтянський І. В. Стабілізуючий вплив германію на електричні характеристики моноселеніду індію. - C. 77-80.
- Ковалюк З. Д., Орлецький В. Б., Будзуляк І. М. Дослідження фотоелектричних властивостей і спектрів шумів монокристалів і плівок InSe. - C. 81-82.
- Катеринчук В. М., Ковалюк З. Д., Беца Т. В. Залежність спектрів фотовідгуку анізотропних кристалів InSe від їх кристалографічної орієнтації та стану поверхні. - C. 83-84.
- Бучковський І. А. Моделювання лінійних електронних кіл. - C. 85-88.
- Семізоров О. Ф., Кушнерик Л. Я., Черкез Р. Г., Шкіль Л. П., Розвер Д. Ю. Особливості одержання пресованих термоелектричних матеріалів на основі твердих розчинів системи Bi2Te3–Sb2Te3–Sb2Se3. - C. 89-91.
- Ащеулов А. А., Романюк І. С., Простебі Л. І., Добровольський Ю. Г., Вітрюк С. А. Особливості виготовлення удосконалених термоелектричних модулів на основі телуриду вісмуту. - C. 92-94.
- Черепачинський В. І. Про помилковість ще одного з ейнштейнівських методів одержання перетворень Лоренца. - C. 95-97.
- Лепіх Я. І., Сминтина В. А. Адсорбційні властивості плівкових структур комплексонатів германію. - C. 98-99.
- Лавренко С. С. Аналітична модель міграції радіоактивних речовин у грунті водозбірного басейну. - C. 100-106.
- Гуц В. В., Охрем В. Г. До питання про теплофізичні основи роботи анізотропного термоелемента. - C. 107-108.
- Бабій П. І., Маник О. М. Кристалічна структура і силові сталі мікроскопічної теорії в CdTe. - C. 109-112.
| 2000 | | Вип. 79
|
|
|
|
Простий
Розширений
