Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Manilov Electrophysical properties of meso-porous$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Manilov A. I. Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium [Електронний ресурс] / A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_3 Resistivity and complex impedance voltage dependences for thick mesoporous silicon free layers were studied in this work. The asymmetrical by the sign of applied voltage experimental curves at low frequencies have been obtained. Modification of electrophysical properties due to introduction of palladium particles into the porous matrix is observed. Impedance change regularities during oxidation of the samples have been measured. The explanation of experimental results by asymmetrical distribution of charge carrier traps in the bulk of porous silicon has been suggested. Energy band diagrams and charge transfer mechanisms of these heterostructures are discussed. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |