Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Фодчук Вплив опромінення високоенергетичними електронами$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Фодчук І. М. Вплив опромінення високоенергетичними електронами на дефектну структуру монокристалів Cz-Si згідно високороздільної трикристальної Х-променевої дифрактометрії [Електронний ресурс] / І. М. Фодчук, В. В. Довганюк, В. П. Кладько, М. В. Слободян, Т. В. Литвинчук, З. Свянтек // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2008. - Вип. 420. - С. 40-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2008_420_8 Досліджено опромінені високоенергетичними електронами (Е = 18 МеВ) монокристали кремнію з використанням методів високороздільної Х-променевої дифрактометрії. Виявлено особливості поведінки КДВ та зміни форми контурів ізодифузних ліній. Для пояснення використано узагальнену динамічну теорію Брег-дифракції Х-променів у кристалах, що містять дефекти кількох типів (сферичні і дископодібні кластери та дислокаційні петлі) та порушений приповерхневий шар. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |