Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>AT=Сукач Вплив поверхневої провідності на$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Сукач А. В. 
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів [Електронний ресурс] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мазарчук, М. М. Кролевець, В. І. Лук’яненко, І. Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 109-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_13
Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p - n-переходів, виготовлених за допомогою дифузійного методу. З'ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p - n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачі на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на вольтамперні характеристики переходів. Показано, що темновий струм в p - n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160 - 298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінації носіїв в області просторового заряду, а за температур менших ніж 160 К - тунелюванням за участю дислокацій.
Попередній перегляд:   Завантажити - 490.309 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського