Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Сукач Вплив поверхневої провідності на$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Сукач А. В. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів [Електронний ресурс] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, І. О. Мазарчук, М. М. Кролевець, В. І. Лук’яненко, І. Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 109-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_13 Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p - n-переходів, виготовлених за допомогою дифузійного методу. З'ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p - n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачі на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на вольтамперні характеристики переходів. Показано, що темновий струм в p - n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160 - 298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінації носіїв в області просторового заряду, а за температур менших ніж 160 К - тунелюванням за участю дислокацій.
|
|
|