Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Рувінський Вплив флуктуацій товщини на$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Рувінський Б. М. 
Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту [Електронний ресурс] / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 689-692. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_4
Одержано вирази для часу релаксації і рухливості електронів та статичної електропровідності квантового напівпровідникового дроту з урахуванням значення випадкового поля, зумовленого гауссівськими флуктуаціями товщини дроту. Розглянуто вплив сильного квантуючого магнітного поля, напрямленого вздовж довжини дроту. Установлено, що у невиродженому випадку за низьких температур рухливість електронів <$Eroman {u sub n }> ~ <$Eroman T sup 1"/"2>.The expressions for a relaxation time, an electron mobility and static conductivity of a quantum semiconducting wire, which are determined by a random field conditioned by Gaussian fluctuations of wire thickness are obtained. The influence of a strongquantizing magnetic field directional along length of a wire is considered. In a nondegenerate case and low temperatures electron mobility un ~ T1/2Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої та виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого та чистого дроту з GaAs за низьких температур і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс у порівнянні з випадком масивного тривимірного зразка.
Попередній перегляд:   Завантажити - 123.32 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського