Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Zayachuk Sputtering Rate of Lead,$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Zayachuk D. Sputtering Rate of Lead, Tin and Germanium Tellurides with Low Energy Argon Ions [Електронний ресурс] / D. Zayachuk, V. Slynko, A. Csík // Computational problems of electrical engineering. - 2021. - Vol. 11, № 1. - С. 36-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2021_11_1_9 Досліджено розпорошення кристалів PbTe, SnTe та GeTe іонами Ar<^>+ низької енергії, визначено швидкість розпорошення <$E nu sub sp> та її залежність від складу кристалічної матриці й енергії розпорошення. Встановлено, що за однакових умов швидкість розпорошення телуридів GeTe-SnTe-PbTe зростає зі збільшенням їх середньої атомної маси. Виявлені зміни пояснено змінами поверхневої енергії зв'язку атомів металів у телуридах свинцю, олова та германію. Показано, що для всіх досліджуваних сполук швидкість розпорошення зростає також зі збільшенням енергії розпорошення. У діапазоні енергій від 160 до 550 еВ це збільшення є майже лінійним. Розраховано коефіцієнти зміни швидкості розпорошення з енергією <$E d nu sub sp "/" dE>. Визначено поверхневу густину іонно-індукованих структур і відносну площу покритої ними розпорошеної поверхні для природних бокових поверхонь кристала PbTe, вирощеного з розплаву методом Бриджмена, як функцію енергії розпорошення. Показано, що за постійного часу розпорошення обидва параметри експоненційно зменшуються зі збільшенням енергії розпорошення.
|
|
|