Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Vasyltsiv Microdefects and Electrical Properties$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Vasyltsiv V. 
Microdefects and Electrical Properties of β-Ga2O3 and β-Ga2O3:Mg Crystals Grown by Floating Zone Technique [Електронний ресурс] / V. Vasyltsiv, L. Kostyk, O. Tsvetkova, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, R. Diduk, B. Pavlyk, A. Luchechko // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 5. - С. 05005-1-05005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_5_7
Досліджено мікродефекти в монокристалах <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> і <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> : 0,1 % Mg, вирощених за методом оптичної зонної плавки з радіаційним нагріванням. На поверхні (100) та в об'ємі нелегованих кристалів <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> виявлено пористі дефекти трубоподібної форми. Такі дефекти мають діаметр до 1 мкм і довжину до 100 мкм, витягнуті по осі [010]. Легування оксиду галію іонами магнію призводить до зменшення концентрації дефектів та зміни їх форми. Розраховано концентрацію та рухливість носіїв електричного заряду в нелегованих у <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O} sub 3> кристалах. Оцінено енергії активації провідності досліджуваних кристалів. Виявлено та обговорено певні кореляції між умовами вирощування кристалів, легуванням і швидкістю випаровування Ga2O3 з розплаву та густиною дефектів, що надає аспекти подальшого розвитку матеріалу. Також проаналізовано механізми утворення цих дефектів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 410.758 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського