Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Tetyorkin Characterization of grain boundaries$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Tetyorkin V. V. Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films [Електронний ресурс] / V. V. Tetyorkin, A. V. Sukach, V. A. Boiko, A. I. Tkachuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 4. - С. 428-432. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_4_11 CdTe polycrystalline films with the average size of grains within the range 10 - 360 pm were grown on sapphire substrates by using the modified close-spaced sublimation technique. Transverse (across the film) and lateral (along the film's surface) conductivity as a function of bias voltage and temperature were measured using appropriate arrangement of contacts. The transverse conductivity exhibits ohmic behavior, whereas the lateral transport of carriers is dominated by potential barriers at the grain boundaries. The carrier concentration in the grains and the potential barrier height have been estimated. The inhomogeneous distribution of deep defects through the grains was found from the photoluminescence measurements. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |