Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Slipokurov Methodological aspects of measuring$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Slipokurov V. S. Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors [Електронний ресурс] / V. S. Slipokurov, M. N. Dub, A. K. Tkachenko, Ya. Ya. Kudryk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 2. - С. 144-146. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_2_8 Proposed has been the method of formation a thermally stable ohmic contact to the diamond without high-temperature annealing with the resistivity ~50 to <$E80~roman {Ohm~cdot~cm} sup 2> when <$ER sub s ~=~3~cdot~10 sup 7 roman Ohm>/<$B0>. Being based on the analysis of correlation dependence between the resistivity of contact and that of semiconductor for the unannealed sample and the sample after rapid thermal annealing it has been shown that variation of the contact resistance on the plate is related with that of semiconductor and may be caused by inhomogeneity of the dopant distribution. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |