Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Krajewski Schottky Junctions with Silver$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Krajewski T. A. Schottky Junctions with Silver Based on Zinc Oxide Grown by Atomic Layer Deposition [Електронний ресурс] / T. A. Krajewski, G. Luka, L. Wachnicki, M. I. Lukasiewicz, A. J. Zakrzewski, B. S. Witkowski, R. Jakiela, E. Lusakowska, K. Kopalko, B. J., Godlewski M., Guziewicz E. Kowalski // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 1. - С. 224-229. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_1_37 This work reports on the Schottky junctions based on zinc oxide layers (grown by Atomic Layer Deposition from dimethylzinc (Zn(CH3)2) or diethylzinc (Zn(C2H5)2) and water precursors). If the strict electrical requirements (electron concentration not higher than 10<^>17 cm<^>-3 and mobility above 10 cm<^>2 V<^>-1 s<^>-1) for ZnO are fulfilled, the rectification ratio of ZnO/Ag Schottky junction as high as 10<^>3 for low forward bias (2 - 3 V) can be achieved. The ideality factor of about <$E symbol Ы~2,65> was calculated basing on the pure thermionic emission theory.
|
|
|