Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Iatsunskyi One and two-phonon raman$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Iatsunskyi I. R. One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon [Електронний ресурс] / I. R. Iatsunskyi, G Nowaczyk, M. M. Pavlenko, V. V. Fedorenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_7 Надано дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію, одержаного за допомогою методу хімічного неелектролітичного травлення. Надано інтерпретацію спостережуваних одно- та двофононних піків КРС. Виявлено, що піки КРС першого та другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об'ємного кремнію. Дане явище проаналізовано в межах фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900 - 1100 см<^>-1 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |