Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Goncharov Initiation of Polarized State$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Goncharov I. Yu. 
Initiation of Polarized State in the Tantalum Oxide Thin Films Grown by Magnetron Sputtering on a Substrate of Monocrystalline Silicon (100) Followed by Argon and Oxygen Ions [Електронний ресурс] / I. Yu. Goncharov, D. A. Kolesnikov, A. V. Zykova, V. I. Safonov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 4. - С. 04074-1-04074-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_4_76
The pictures of the induced state and the surface potential distribution in thin films of tantalum oxide produced by magnetron sputtering onto a substrate of monocrystalline silicon (100) followed by low energy argon and oxygen ions was investigated by atomic force microscopy in spreading resistance and scanning Kelvin probe microscopy mode. It was shown that it is possible to polarize or depolarize the coating, and then to visualize the state of the induced polarization using an electric field applied via the conductive cantilever in contact spreading resistance microscopy mode. It was found that treatment with argon ions increases the contrast of the of the surface potential distribution maps from 1,2 to 2,3 V for negative - 10 V voltage on the probe and from 9,6 V to 19,2 V for a positive + 10 V voltage in comparison with the oxygen ions.
Попередній перегляд:   Завантажити - 897.508 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського