Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Gavrilchenko Luminescent Properties of Electrochemically$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Gavrilchenko I. V. Luminescent Properties of Electrochemically Etched Gallium Arsenide [Електронний ресурс] / I. V. Gavrilchenko, Y. S. Milovanov, I. I. Ivanov, A. N. Zaderko, A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. G. Kogdas, M. I. Fedorchenko, S. N. Goysa, V. A. Skryshevsky // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04011-1-04011-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_13 Наведено результати структурних і фотолюмінесцентних (ФЛ) досліджень пористих шарів GaAs, що створюються шляхом електрохімічного травлення пластин GaAs. Структурні та морфологічні властивості пористого GaAs проаналізовано за методом СЕМ та за допомогою Оже-спектроскопії. При аналізі СEM зображень було показано наявність пористого шару глибиною близько 21 мкм, що складався з нерівномірно розподілених по поверхні мезо- та макропор і нанокристалітів. На деяких структурах було виявлено пірамідальні утворення висотою ~ 30 мкм. Виміри Оже-спектрів показали різну стехіометрію GaAs на пористих і кристалічних частинах зразків. Фотолюмінесценція утвореного матеріалу характеризувалася смугою випромінювання в області 1,5 - 3,2 еВ, причому спостерігалась залежність спектра ФЛ від довжини хвилі збуджуючого світла. Зі збільшенням довжини хвилі збуджуючого світла максимуми спектрів випромінювання зміщуються в область менших енергій. Така поведінка спектра ФЛ (зсув максимуму ФЛ залежно від довжини хвилі збуджуючого випромінювання) характерна для гетерогенних по товщині електрохімічно травлених пористих структур. Обговорено природу багатосмугового спектра ФЛ пористого GaAs за рахунок існування гідратованих оксидів арсену та галію на поверхні зразків та утворення нанокристалітів у пористих шарах GaAs. В роботі представлено оцінку можливих розмірів нанокристалітів у припущенні, що ФЛ створюється за рахунок квантово-розмірних ефектів.
|
|
|