Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Druzhynin InSb Microcrystals for Sensor$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Druzhynin A. InSb Microcrystals for Sensor Electronics [Електронний ресурс] / A. Druzhynin, I. Ostrovskyi, Yu. Khoverko, I. Khytruk, K. Rogacki // Computational problems of electrical engineering. - 2014. - Vol. 4, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/CPoee_2014_4_1_3 Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, викликаного взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п'єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками та центрами статичної деформації в n-InSb з концентрацією дефектів 3 x 1017 см-3. У межах точного розв'язку стаціонарного рівняння Больцмана на базі принципу близькодії розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4,2 - 500 K. Встановлено добре узгодження теорії та експерименту у дослідженому інтервалі температур. На основі ниткоподібних кристалів InSb розроблено холлівський датчик, дієздатний у широкому температурному інтервалі 4,2 - 500 K і в області високих магнітних полів (до 10 Тл) з чутливістю ~ 3,5 мВ/Tл. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |