Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Charikova Magnetization in AIIIBV semiconductor$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Charikova T. Magnetization in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of manganese [Електронний ресурс] / T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, M. Lopez // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 207-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_15 The magnetic moment and magnetization in GaAs/Ga0,84In0,16As/GaAs heterostructures with Mn deluted in GaAs cover layers and with atomically controlled Mn delta-layer thicknesses near GaInAs-quantum well (~ 3 nm) in temperature range T = 1,8 - 300 K in magnetic field up to 50 kOe have been investigated. The mass magnetization all of the samples of GaAs/Ga0,84In0,16As/GaAs with Mn increases with the increasing of the magnetic field that pointed out on the presence of low-dimensional ferromagnetism in the manganese depletion layer of GaAs based structures. It has been estimated the manganese content threshold at which the ferromagnetic ordering was found. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |