Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Bomba Simulation of the Charge$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Bomba A. Ya. Simulation of the Charge Carriers Distribution in the Active Region of the p-i-n-diodes by the Perturbation Theory Methods [Електронний ресурс] / A. Ya. Bomba, I. P. Moroz // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія : Технічні науки. - 2021. - Вип. 22. - С. 20-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Mtkm_tekh_2021_22_4 Запропоновано математичну модель стаціонарного розподілу електронно-діркової плазми в активній області (i-області) p-i-n-діодів у дифузійно-дрейфовому наближенні. Модель подається у вигляді нелінійної сингулярно збуреної крайової задачі для системи рівнянь неперервності електронно-діркових струмів і Пуассона з відповідними граничними умовами. Проведено декомпозицію нелінійної крайової задачі моделювання стаціонарного розподілу носіїв заряду в плазмі p-i-n-діодів на основі асимптотичного представлення розв'язків. Модельну задачу приведено до послідовності лінійних крайових задач із характерним виділенням основних (регулярних) складових асимптотик і примежових поправок. Встановлено, що постановка задачі для знаходження нульового члена регулярної частини асимптотик співпадає із класичною постановкою задачі моделювання характеристик p-i-n-діодів, яка здійснюється в наближенні амбіполярної дифузії (наближення самоузгодженого поля плазми). Запропонована математична модель і метод її лінеаризації надають змогу виділити у дифузійно-дрейфовому процесі головні складові і дослідити їх роль. Наприклад, з'являється можливість вивчення (у тому числі за аналітичними методами) поведінки плазми в зонах p-i-, n-i-контактів. Результати дослідження спрямовані на розвиток методів проектування p-i-n-діодних структур, які використовуються, зокрема як активні елементи комутаторів сигналів надвисокочастотних систем передачі інформації і відповідних захисних пристроях.
|
|
|