Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Benhaliliba AC Impedance Analysis of$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Benhaliliba M. AC Impedance Analysis of the Al / ZnO / p-Si / Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters [Електронний ресурс] / M. Benhaliliba, Y. S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kilicoglu // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02001-1-02001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_3 In this research, we report on the measurement of the capacitance-voltage (C-V) characteristics Al/ZnO/p-Si/Al Schottky diode at room temperature and in dark condition fabricated by spray pyrolysis process. C-V characteristics, within the range of frequencies 50 kHz - 5 MHz, are investigated and microelectronic parameters are extracted. Donor density and diffusion potential vary with frequency from 15 to 28 1014 cm-3, 0,21 to 0,45 V. Besides, the interface state density of Al/ZnO/pSi/Al Schottky is determined and found to be 1012 (eV x cm2)-1. Calculated at 1 MHz, the interfacial layer thickness and depletion layer width are of 760 Å and 0,28 mu M. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |