Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Belfar Optimization of Band Gap$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Belfar A. 
Optimization of Band Gap and Thickness for the Development of Efficient n-i-p+ Solar Cell [Електронний ресурс] / A. Belfar, B. Amiri, H. Aït-kaci // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02007-1-02007-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_9
By using an electrical-optical AMPS-1D program (One Dimensional Analysis of Microelectronic and Photonic structures), a n-i-p type solar cell, based on hydrogenated amorphous silicon (alpha-Si : H) and hydrogenated nanocrystalline silicon oxide (nc-SiOx : H) has been investigated and simulated. The numerical analysis describes the modeling of the external cell performances, like, the short-circuit current (JSC), the open circuit voltage (VOC), the fill factor (FF) and efficiency (Eff) with the oxygen content in the p-nc-SiOx : H window layer by varying its mobility band gap (Eg) associated simultaneously to the effect of the absorber layer (i-alpha-Si : H) thickness. Also, the i-alpha-Si : H absorber layer band gap was optimized. The simulation result shows that the VOC depend strongly on the band offset (ΔE V) in valence band of p-side. But, VOC does not depend on the thickness of the intrinsic layer. However, VOC increases when the energy band gap of the intrinsic layer is higher. It is demonstrated that the highest efficiency of 10,44 % (JSc = 11,67, mA/cm2; FF = 0,829; VOC = 1070 mV) has been obtained when values of p-nc-SiOx : H window layer band gap and i-alpha-Si : H absorber layer thickness are 2,10 eV, 1,86 eV, and 550 nm, respectively.
Попередній перегляд:   Завантажити - 585.646 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського