Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Суховій Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Суховій Н. О. Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів [Електронний ресурс] / Н. О. Суховій, Н. М. Ляхова, І. В. Масол, В. І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2018. - Т. 20, № 3. - С. 13–20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2018_20_3_4 Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<< 10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів III-нітридів. Зокрема, для епітаксіпних шарів p-GaN засвідчено низьку щільність проростаючих дислокацій (~5 x 10<^>6 см<^>-2) і продемонстровано, що УФ-GaN-фотодіоди Шоткі на таких нанотемплетах мали більш крутий довгохвильовий (375 - 475 нм) крап нормованої фоточутливості порівняно з фотодіодами без них. Проаналізовано придатність таких нанотемплетів для шарів акумулювання енергії, зокрема, для формування шарів низькодефектного нітриду бору, в які інкапсулюється графен, для виготовлення суперконденсаторів, а також для формування нанокарбідів і консолідованих фаз AlCN або BCN в MOCVD-реакторі в потоці триметилу алюмінію або триетилу бору відповідно, на поверхні таких нанотемплетів.
|
|
|