Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Сукач Електричні та фотоелектричні властивості$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Сукач А. В. Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si [Електронний ресурс] / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, В. І. Іващенко, О. К. Порада, А. О. Козак, А. І. Ткачук, А. Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 96-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_10 Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196 - 353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т << 300 <$E symbol Р>C) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки c-Si з дірковим типом провідності. З'ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розподілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів пояснюється локалізацією активної області виключно в p-Si. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |