Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>AT=Стебленко Влияние нанонаполненных полимерных покрытий$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Стебленко Л. П. Влияние нанонаполненных полимерных покрытий и магнитного поля на кинетику спада фото-ЭДС в кристаллах кремния, используемых в солнечной энергетике [Електронний ресурс] / Л. П. Стебленко, О. А. Коротченков, А. А. Подолян, Л. Н. Ященко, Д. В. Калиниченко, А. Н. Курилюк, Ю. Л. Кобзарь, А. Н. Горбатенко, А. Н. Крит, С. Н. Науменко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 2. - С. 02025-1-02025-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_2_27 Изучено влияние слабого стационарного магнитного поля на кинетику спада фотоэдс в кристаллах "солнечного" кремния (solar-Si) с нанонаполненными полимерными покрытиями. Установлены характерные особенности магнитостимулированного изменения времени жизни носителей в зависимости от концентрации и способа формирования нанонаполнителей в полимерной матрице.Исследованы изменения в кинетике спада фотоэдс, обусловленные воздействием низкоэнергетического (W = 8 кэВ) рентгеновского излучения на структуры "солнечный" кремний - нанонаполненное полимерное покрытие. Показано, что радиационно-стимулированная деградация кратко- и долговременной компонент спада, которые связаны, соответственно, со временем жизни носителей на поверхности кристаллов "солнечного" кремния и в его приповерхностных слоях отсутствует в кристаллах "солнечного" кремния с покрытиями, имеющими содержание наполнителя (полисилоксановые частицы) в количестве 0,5 мас. %. Установлено, что при содержании наполнителя в покрытии 0,001 и 1,0 мас. % наблюдается эффект существенной потери радиационной стойкости кристаллов "солнечного" кремния. | ||
| 2. |
Стебленко Л. П. Влияние нанонаполненных полимерных покрытий на радиационную стойкость кристаллов кремния, используемых в солнечной энергетике [Електронний ресурс] / Л. П. Стебленко, А. А. Подолян, Л. Н. Ященко, А. Н. Курилюк, Ю. Л. Кобзарь, Л. А. Воронцова, Д. В. Калиниченко, А. Н. Крит, С. Н. Науменко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 2. - С. 02054-1-02054-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_2_56 Изучено влияние слабого стационарного магнитного поля на кинетику спада фотоэдс в кристаллах "солнечного" кремния (solar-Si) с нанонаполненными полимерными покрытиями. Установлены характерные особенности магнитостимулированного изменения времени жизни носителей в зависимости от концентрации и способа формирования нанонаполнителей в полимерной матрице.Исследованы изменения в кинетике спада фотоэдс, обусловленные воздействием низкоэнергетического (W = 8 кэВ) рентгеновского излучения на структуры "солнечный" кремний - нанонаполненное полимерное покрытие. Показано, что радиационно-стимулированная деградация кратко- и долговременной компонент спада, которые связаны, соответственно, со временем жизни носителей на поверхности кристаллов "солнечного" кремния и в его приповерхностных слоях отсутствует в кристаллах "солнечного" кремния с покрытиями, имеющими содержание наполнителя (полисилоксановые частицы) в количестве 0,5 мас. %. Установлено, что при содержании наполнителя в покрытии 0,001 и 1,0 мас. % наблюдается эффект существенной потери радиационной стойкости кристаллов "солнечного" кремния. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |