 Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Ромака Особливості структурних, енергетичних та$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| 1. |
Ромака В. А.
Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик твердого розчину HfNi1-xRuxSn [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Д. Качаровський, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, О. І. Лах // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 2. - С. 325-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_2_19
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.
| | 2. |
Ромака В. А.
Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П.-Ф. Рогль, Л. П. Ромака, В. Я. Крайовський, Ю. В. Стадник, Д. Качаровський, А. М. Горинь // Термоелектрика. - 2016. - № 3. - С. 24-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2016_3_5
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.
| | 3. |
Ромака В. А.
Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Д. Качаровський, В. Я. Крайовський, А. М. Горинь // Термоелектрика. - 2014. - № 4. - С. 41-52. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2014_4_5
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.
| | 4. |
Ромака Л. П.
Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn [Електронний ресурс] / Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. Я. Крайовський, Ф. -П. Рогль, А .М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 552-558. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_20
Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.
|
|
|
Простий
Розширений
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
Пам`ятка користувача