![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Ромака Дослідження напівпровідникового твердого розчину$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
|
1. |
Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRhxSn. І. Кристалічна і електронна структури [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, Ю. Стадник, Л. Ромака, П. Рогль, В. Крайовський, Н. Герман // Вісник Львівського університету. Сер. : Хімічна. - 2013. - Вип. 54(1). - С. 122–128. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2013_54(1)__20 Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
| 2. |
Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNiSn1-xSbx І. Кристалічна та електронна структури [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, Ю. Стадник, Л. Ромака, Р. Корж, В. Крайовський // Вісник Львівського університету. Сер. : Хімічна. - 2014. - Вип. 55(1). - С. 142–148. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2014_55(1)__20 Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
| 3. |
Ромака В. А. Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNiSn1-xSbx. II. Електрокінетичні та енергетичні характеристики [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, А. Горинь, Д. Фрушарт, Р. Корж, В. Я. Крайовський, О. Лах // Вісник Львівського університету. Сер. : Хімічна. - 2014. - Вип. 55(1). - С. 155–160. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2014_55(1)__22 Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
| 4. |
Ромака В. А. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик [Електронний ресурс] / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Д. Качаровський, В.Я. Крайовський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 1. - С. 111-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_1_19 Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
| 5. |
Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn. I. Кристалічна та електронна структури [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, Ю. Стадник, Л. Ромака, В. Крайовський, Р. Корж, Т. Ковбасюк // Вісник Львівського університету. Серія хімічна. - 2015. - Вип. 56(1). - С. 115-121. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vlnu_kh_2015_56(1)__18 Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
| 6. |
Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. II. Особливості кристалічної та електронної структур [Електронний ресурс] / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 335-340. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_19 Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
|
|
|