Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Прохоров Эффективность генерации диодов с$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Прохоров Э. Д. Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте [Електронний ресурс] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко, И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. - 2012. - Т. 3(17), № 3. - С. 72-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rphre_2012_3(17)_3_13 Рассмотрена эффективность генерации диодов с междолинным переносом электронов на основе нитридов (InN, GaN, AlN). Определены напряженности электрического поля, при которых наблюдается максимальная эффективность генерации на основе нитридов, и проведено сравнение с GaAs. Учет сплавного потенциала в соединениях InGaN приводит к улучшению их энергетических характеристик по сравнению с энергетическими характеристиками этих соединений без учета сплавного потенциала, кпдmax In0,8Ga0,2N и In0,5Ga0,5N по сравнению с InN на 30 % выше (22 % по сравнению с 16,43 %), но при более высоких напряженностях электрического поля. Кпдmax нитридов наблюдается при значительно больших напряженностях электрического поля, чем GaAs (от 250 кВ/см для InN до 1000 кВ/см для AlN).Исследованы вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами (РТГ) в структурах типа "сэндвич" на основе GaAs. Рассмотрены одно- и двухуровневые модели РТГ. Оценен частотный предел работы диодов с РТГ. Показана возможность генерации гармоник и умножения частоты на диодах с РТГ в диапазоне несколько десятков гигагерц.
|
|
|