Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Осинский Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Осинский В. И. Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии ІІІ-нитридных структур [Електронний ресурс] / В. И. Осинский, Н. Н. Ляхова, И. В. Масол, В. П. Грунянская, П. В. Деминский, Н. О. Суховий, В. В. Стонис, М. С. Оначенко // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2012. - № 1. - С. 62-72. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2012_1_11 Рассмотрена возможность целенаправленного формирования оптоэлектронных приборов с использованием многообразия углеродных наноструктур. Впервые получена аномальная анизотропная электропроводность с полупроводниковым характером температурной зависимости поверхности накарбидизированного с-сапфира. Установлено активирующее влияние температурной обработки поверхности с-сапфира в потоке аммиака (T = 1050 градусов по Цельсию, t = 20 мин при давлении в реакторе порядка 20 - 50 мбар) для последующего образования в нанотекстурированном сапфире нанокарбидных структур в потоке триметил алюминия (T = 1000 градусов по Цельсию, газ-носитель азот, t = 1 мин).
|
|
|