Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>AT=Маланич Електричні властивості структур In/p-pbte$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Маланич Г. П. 
Електричні властивості структур In/p-pbte [Електронний ресурс] / Г. П. Маланич, А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. Т. Ворощенко, М. Ю. Кравецький, І. І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2012. - Вып. 47. - С. 84-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2012_47_11
Досліджено механізми формування бар'єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p - n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77 - 146 К за напруг зворотного зміщення <$E symbol Г~150> мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150 - 220 К - дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Одержані результати слід враховувати під час виготовлення омічних контактів до p-PbTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.537 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського