Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Заплітний Процеси дефектоутворення в епітаксійних$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Заплітний Р. А. 
Процеси дефектоутворення в епітаксійних структурах СdHgTe при імплантації іонами As [Електронний ресурс] / Р. А. Заплітний, Т. А. Каземірський, І. М. Фодчук, З. Свянтек // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2006. - Вип. 303. - С. 29-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2006_303_8
Наведено результати досліджень приповерхневих шарів епітаксійних структур CdHgTe (х = 0,25), імплантованих іонами миш'яку дозами <$E 2~cdot~10 sup 14> та <$E 10 sup 15~roman {іон "/" см} sup 2> з енергією 100 кеВ. Показано, що під час імплантації іонами миш'яку профіль зміни міжплощинної відстані для даної дози має складний характер і його можна подати у вигляді суми двох профілів, один з яких пов'язаний з ядерними, а інший з електронними втратами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 649.621 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського