Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Данько Реверсивне фотопотемніння в композитних$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Данько В. А. 
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, О. Ф. Коломис, В. В. Стрельчук, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 103-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_15
З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) - <$E DELTA E sub g> - наночастинок As2S3 у матриці SiO1,5. Під час формування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш'яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 відбувається зменшення концентрації S - S- та збільшення концентрації As - As-зв'язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення <$E DELTA E sub g> (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As2S3/SiO1,5 шарах у порівнянні з суцільними As2S3 плівками. Ефект збільшення <$E DELTA E sub g> у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As2S3, які знаходяться в діелектричній матриці.
Попередній перегляд:   Завантажити - 191.846 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського