Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>AT=Галій Динаміка зміни стехіометрії поверхні$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Галій П. В. Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень [Електронний ресурс] / П. В. Галій, О. Я. Тузяк, О. В. Цветкова, І. Р. Яровець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 519-526. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_12 Проведено дослідження динаміки зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI і KCl під впливом електронного та опромінення неодимовим ІЧ-лазером. Встановлено, що за низьких температур опромінюваних поверхонь зміна стехіометрії поверхні CsI і KCl визначається переважно електронними механізмами розпилення галогену, й обидві поверхні збагачуються металічною компонентою. Якщо на поверхні кристалів досягаються температури, близькі до температур плавлення, зміна стехіометрії визначається швидкостями дифузії до поверхні та випаровування компонент, тоді поверхня CsI збагачується галогеном, а KCl - металом. Вказані процеси носять квазіперіодичний характер залежно від флюенса та дози опромінення.
|
|
|