Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>AT=Баранський Фізичні фактори, що зумовлюють$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Баранський П. І. 
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках [Електронний ресурс] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 54-59. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_4
Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоерс <$E DELTA alpha~=~alpha sub ||~-~alpha sub symbol <94>> у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації (при X || J || [111] в n-Ge і X || J || [100] в n-Si), а також зв'язки, які існують між параметрами анізотропії термоерс <$E М~=~alpha sub || sup roman ф "/" alpha sub symbol <94> sup roman ф> і анізотропії рухливості <$E K~=~mu symbol <94> "/" mu sub ||>. Показано, як вказані параметри, що характеризують анізотропію відповідних величин, можна одержати з вимірів величин на макрорівні (тобто з вимірів питомого опору <$E rho sub 0> і <$E rho sub inf>, а також термоЕРС <$E alpha sub 0> і <$E alpha sub inf>) у багатодолинних недеформованих і направлено-деформованих (у разі механічного навантаження <$E X~symbol О~inf>) напівпровідниках. Проведено зіставлення параметрів К і М, виміряних на монокристалах n-Si, легованих домішкою фосфору через розплав та шляхом ядерної трансмутації, що виникає при опроміненні кристалів кремнію тепловими нейтронами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 241.962 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського