Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Osinsky V$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Osinsky V. Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures [Електронний ресурс] / V. Osinsky, O. Dyachenko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 142-144. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_7 In this work, we firstly investigated controlling the lattice parameter of III-oxides used as substrates for III-nitrides heterostructures. It was shown that the atomic content change in III-sublattice gives large possibilities for precise cation controlling the lattice parameters. The developed technique is promising to make ideal substrates in III-nitride epitaxy of LED, LD and transistors with a high quantum efficiency and small noise. This technology can be realized using MBE, MOSVD or CVD chloride-hydride epitaxy with computer driving.
| 2. |
Osinsky V. I. Carbides of A3B5 compounds - new class materials for opto- and microelectronics [Електронний ресурс] / V. I. Osinsky, I. V. Masol, N. N. Lyahova, P. V. Deminsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 55-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_15
| 3. |
Osinsky V. I. Integration of LED/SC chips (matrix) in reverse mode with solar energy storage [Електронний ресурс] / V. I. Osinsky, I. Masol, I. Feldman, A. Diagilev, N. O. Sukhovii // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 215-219. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_17 In this work, for the first time we investigated controlling the quantum efficiencies of III-nitride LED/SC (solar cells) new energy accumulating elements and supercapacitors as energy storage devices (Enestors). It has been shown that the atomic content in these microenergetic devices gives large possibilities for energy storage from solar light. The developed technique is promising to make ideal new functional LED, LD and SC with a high quantum efficiency and small leakage. This technology can be realized using Si/A<^>3B<^>5 integrated processor technology epitaxy with computer driving.
| 4. |
Osinsky V. Some new technology aspects for quantum enestor through A3B5 multicomponent nanoepitaxy [Електронний ресурс] / V. Osinsky, I. Masol, N. Lyahova, N. Suhoviy, M. Onachenko, A. Osinsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 254-258. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_21
|
|
|