Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Dahlal Z$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Dahlal Z. Deep Impact of the n-c-Si Defect Density on Heterojunction with Intrinsic Thin Layer Solar Cells [Електронний ресурс] / Z. Dahlal, F. Hamdache, D. Rached, W. L. Rahal // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06001-1-06001-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_3 У роботі оптимізовано сонячний елемент n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром (HIT): оксид індію і олова (ITO)/гідрогенізований p-легований аморфний кремній (p-a-Si:H)/гідрогенізований власний поліморфний кремній (i-pm-Si:H)/n-легований кристалічний кремній (n-c-Si)/алюміній (Al). За допомогою симулятора ємності сонячних елементів (SCAPS-1D) вивчено вплив густини дефектів в об'ємі (N | ||
| 2. |
Dahlal Z. Comparative Study of the Influence of μc-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H and μc-SiOx as a Passivation Layer on the Performance of HIT n-c-Si Solar Cells [Електронний ресурс] / Z. Dahlal, F. Hamdache, D. Rached, W. L. Rahal // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06002-1-06002-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_4 Одним з найважливіших факторів, які обмежують продуктивність сонячних елементів c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром (HIT), є густина дефектів на поверхні кристалічного кремнію. Числове моделювання було використано для вибору найбільш ефективного матеріалу як пасивуючого шару в сонячному елементі HIT c-Si. Для дослідження було вибрано такі матеріали: гідрогенізований мікрокристалічний кремній <$Emu>c-Si:H(<$EEg sub {i- mu c-Si:H } ~=~1,40> eV), гідрогенізований аморфний кремній a-Si:H (<$EEg sub {i-a-Si:H } ~=~1,84> eV), гідрогенізований поліморфний кремній pm-Si:H (<$EEg sub {i-pm-Si:H } ~=~1,96> eV) і гідрогенізований мікрокристалічний оксид кремнію <$Emu c-{roman SiO} sub x : roman H (Eg sub {i- mu c {roman SiO} sub x } ~=~2,5> eV). Результати моделювання показують, що посилення електричного поля на випромінювачі з використанням <$Emu>c-Si:H та a-Si:H як пасивуючого шару призводить до збільшення ефективності перетворення енергії сонячного елемента HIT c-Si з 25,42 до 26,34 % Створення потенційного бар'єру для фотогенерованих дірок на переходах i-pm-Si:H/n-c-Si та <$Emu>c-SiO | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |