Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Цибрій З. Ф.$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
|
1. |
Руденко Е. М. Теплофiзичнi та спектральнi характеристики квазiоптичних фiльтруючих пристроїв для крiоелектронних приймальних систем [Електронний ресурс] / Е. М. Руденко, І. В. Короташ, А. П. Шаповалов, З. Ф. Цибрій, М. О. Білоголовський, Д. Ю. Полоцький, Ю. В. Шлапак, В. М. Чміль, Е. М. Глушеченко, В. В. Чмiль, А. М. Пилипенко, Ф. Ф. Сизов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 12. - С. 49-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2015_12_9
| 2. |
Курилюк В. В. Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx [Електронний ресурс] / В. В. Курилюк, О. О. Коротченков, З. Ф. Цибрій, А. С. Ніколенко, В. В. Стрельчук // Журнал нано- та електронної фізики. - 2015. - Т. 7, № 1. - С. 01029-1-01029-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2015_7_1_31 З використанням ІЧ Фур'є-спектроскопії, раманівського розсіювання та комп'ютерного моделювання досліджено особливості механічних напружень в германієвих нанокристалах, синтезованих в аморфній матриці SiOx з буферним шаром SixNy. Встановлено, що германієві нанокристали зазнають суттєвих напружень стиснення величиною до 2,9 ГПа. Високі значення деформацій пояснюються частковим проникненням нанокристалів у кремнієву підкладку. Основним джерелом механічних напружень в цьому випадку слугує невідповідність решіток кремнію та германію.
| 3. |
Цибрій З. Ф. Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe [Електронний ресурс] / З. Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 9. - С. 34-. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2019_9_6 Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар - струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольтамперні характеристики контактів Mo - Au і Mo - In до епітаксійних шарів p-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при T = 80 K.
|
|
|