Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Хомяк В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 26
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Андрійчук Т. О. Стійкість сортів картоплі проти фузаріозного в’янення [Електронний ресурс] / Т. О. Андрійчук, В. В. Хомяк // Захист і карантин рослин. - 2013. - Вип. 59. - С. 19-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zikr_2013_59_5
| 2. |
Хомяк В. В. Залежність ризогенної активності мікропагонів айви від способу їх укорінення [Електронний ресурс] / В. В. Хомяк // Захист і карантин рослин. - 2013. - Вип. 59. - С. 350-356. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zikr_2013_59_46
| 3. |
Бойко Н. И. Множественная эндокринная неоплазия – МЭН тип 1 (синдром Вермера). Собственное наблюдение больной [Електронний ресурс] / Н. И. Бойко, Р. В. Кеминь, Я. И. Гаврыш, В. В. Хомяк // Сучасні медичні технології. - 2013. - № 3. - С. 32-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Smt_2013_3_12
| 4. |
Бойко Н. И. Роль видеоассистированной паратиреоидэктомии в лечении пациентов с первичным гиперпаратиреозом [Електронний ресурс] / Н. И. Бойко, В. В. Хомяк, О. М. Лерчук // Сучасні медичні технології. - 2013. - № 3. - С. 35-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Smt_2013_3_13
| 5. |
Скорейко А. М. Вплив мульчування міжрядь суниці на розвиток фітофторозу [Електронний ресурс] / А. М. Скорейко, Т. О. Андрійчук, В. В. Хомяк // Захист і карантин рослин. - 2014. - Вип. 60. - С. 344-348. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Zikr_2014_60_45
| 6. |
Штеплюк І. І. Рентгенодифракційні дослідження мікроструктури нелегованих та легованих кадмієм плівок оксиду цинку [Електронний ресурс] / І. І. Штеплюк, Г. В. Лашкарьов, В. Й. Лазоренко, І. І. Тимофєєва, В. В. Хомяк, В. А. Батурин, А. Ю. Карпенко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 623-628. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_15 Продемонстровано, що плівки, вирощені за допомогою методу пошарового осадження, є високотекстурованими, а наявність рефлексів другого порядку на дифракційних спектрах свідчить про їх високу кристалічну якість. Для апроксимації профілей експериментальних ліній використано функцію Фойгта, яка є згорткою, компонентами якої є функції Гауса та Коши. Використання даного наближення сумісно з методикою Вільямсона - Холла надало змогу визначити та розділити ступінь впливу можливих факторів на фізичне уширення дифракційних максимумів. Досліджено вплив кадмію на параметри мікроструктури оксиду цинку.
| 7. |
Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO–p-InSe [Електронний ресурс] / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, В. В. Хомяк, І. Г. Орлецький, В. В. Нетяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 1. - С. 218-221. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_1_37
| 8. |
Миронюк Д. В. Вплив швидких важких іонів Xe26+ на властивості плівок оксиду цинку осаджених на підкладках кремнію [Електронний ресурс] / Д. В. Миронюк, Г. В. Лашкарьов, А. С. Романюк, В. Й. Лазоренко, І. І. Штеплюк, В. О. Скуратов, І. І. Тімофеєва, В. В. Стрельчук, О. Ф. Коломис, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14, № 3. - С. 541-546. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2013_14_3_16 Плівки оксиду цинку, вирощені за допомогою методу магнетронного осадження за постійного струму на підкладках n-кремнію, опромінено до різних флюенсів іонами Xe26+ з енергією 167 МеВ. Вихідні та опромінені зразки досліджено за допомогою методів рентгенівського структурного аналізу, фотолюмінесценції (ФЛ) та спектроскопії резонансного комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що опромінення високоенергетичними іонами ксенону викликає зменшення розміру областей когерентного розсіювання, переорієнтацію кристалітів і зростання інтенсивності дефектної смуги ФЛ.
| 9. |
Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe [Електронний ресурс] / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 4. - С. 763-766. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_4_15 За допомогою методу магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлено область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. За допомогою методу АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлено багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку.
| 10. |
Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe [Електронний ресурс] / З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 2. - С. 78-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_2_11 Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0,5Cd0,5O - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0,5Cd0,5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0,5Cd0,5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу.
| 11. |
Бундук Ю. М. Особливості мікроклонального розмножування айви МС [Електронний ресурс] / Ю. М. Бундук, В. В. Хомяк, І. П. Григорюк, А. А. Клюваденко // Садівництво. - 2012. - Вип. 66. - С. 259-266. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sadiv_2012_66_40
| 12. |
Лашкарев Г. В. Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, И. И. Штеплюк, А. И. Евтушенко, О. Ю. Хижун, В. В. Картузов, Л. И. Овсянникова, В. А. Карпина, Д. В. Миронюк, В. В. Хомяк, В. Н. Ткач // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 169-184. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_11 Рассмотрены свойства материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективных для применений в оптоэлектронике, наноплазмонике и фотовольтаике. Изучены структурные и оптические свойства пленок твердых растворов (ТР) Zn1-xCdxO с различным содержанием кадмия, полученных методом магнетронного распыления на сапфировых подложках. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции выявили присутствие пиков, связанных с процессами излучательной рекомбинации в областях пленки с различным содержанием кадмия. Рентгенофазовый анализ обнаружил в пленках наличие фазы кубического оксида кадмия. Теоретическое исследование термодинамических свойств ТР позволило качественно интерпретировать наблюдаемые экспериментальные явления. Установлено, что рост пленки гомогенного ТР возможен только при высоких температурах, а область негомогенных составов может быть сужена вследствие упругой деформации, вызванной несоответствием периодов решеток пленка - подложка. Выявлены движущие силы спинодального распада системы Zn1-xCdxO. Фуллереноподобные кластеры Znn-xCdxOn использованы для расчета ширины запрещенной зоны и энергии когезии ТР ZnCdO. Рассмотрены свойства прозрачных электропроводных пленок ZnO, легированных донорными примесями III группы (Al, Ga, In). Показано, что за центры ловушек для дырок в процессах фотопроводимости в оксиде цинка отвечают вакансии кислорода. Рассмотрены особенности фотолюминесценции нанокомпозитных систем металл - ZnO, обусловленные поверхностными плазмонами.
| 13. |
Хомяк В. В. Генераційно-рекомбінаційні процеси на контакті Pt/n-CdTe [Електронний ресурс] / В. В. Хомяк, М. І. Ілащук, І. Г. Орлецький // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2006. - Вип. 303. - С. 77-80. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2006_303_20 Наведено результати дослідження електричних явищ на фоточутливому контакті Pt/n-CdTe. За даними вольт-фарадних досліджень розраховано параметри бар'єра Шотткі. Встановлено механізми проходження струму крізь бар'єр: рекомбінація під час прямих і генерація та тунелювання під час зворотних зміщень. Електричні характеристики переходів кількісно описані в рамках моделі генерації-рекомбінації в області просторового заряду з урахуванням генераційно-рекомбінаційного рівня всередині забороненої зони.
| 14. |
Хомяк В. В. Збільшення рівномірності за товщиною плівок, одержаних за допомогою ВУП-5М [Електронний ресурс] / В. В. Хомяк, С. В. Білічук // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 237. - С. 91-93. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_237_20
| 15. |
Хомяк В. В. Вплив відпалу на термоелектричну добротність кристалів Hg1-хZnхSe [Електронний ресурс] / В. В. Хомяк // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2005. - Вип. 268. - С. 33-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2005_268_7 На основі вимірювань кінетичних коефіцієнтів R, <$E omega>, <$E alpha> за 300 К зразків Hg1-xZnxSe (<$E x~symbol Г~0,05>) з різними концентраціями електронів, величина яких змінювалася відпалом у парах компонентів, досліджено концентраційну залежність коефіцієнта термоелектричної добротності Z. Встановлено, що у разі збільшення концентрації електронів величина Z спочатку зростає, досягаючи максимальних значень <$E 0,41~cdot~10 sup -3> і <$E 0,46~cdot~10 sup -3~roman К sup -1> для х = 0,02 і 0,05 у випадку <$E n~=~(1~symbol Ш~2)~cdot~10 sup 18> і <$E n~=~(6~symbol Ш~8)~cdot~10 sup 17~roman см sup -3> відповідно, а потім зменшується.
| 16. |
Хомяк В. В. Одержання і спектри поглинання оксидного напівмагнітного напівпровідника Zn1-xMnxO [Електронний ресурс] / В. В. Хомяк, А. Й. Савчук, Л. М. Мазур // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 104-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_25
| 17. |
Лашкарев Г. В. Физика высокопроводящих прозрачных материалов на основе широкозонного оксида цинка [Електронний ресурс] / Г. В. Лашкарев, В. А. Карпина, Л. И. Овсянникова, В. В. Картузов, Н. В. Дранчук, М. Годлевский, Р. Петрушка, В. B. Хомяк, Л. И. Петросян // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 643-648. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_18 Рассмотрены свойства прозрачных проводящих материалов на основе широкозонного полупроводника оксида цинка, перспективного для применений в фотовольтаике и жидкокристаллических дисплеях. Изучено влияние алюминия на проводимость тонких пленок ZnO, осажденных методом атомно-слоевого роста. Проведены температурные исследования концентрации, подвижности и удельного электросопротивления в диапазоне температур 77 - 300 K, которые свидетельствуют о металлической проводимости сильно легированных пленок. Электроактивность алюминия как донорной примеси в решетке ZnO изучена для тонких пленок, выращенных методом атомного послойного осаждения на стекло и кремний и содержащих 1 - 7 ат. % алюминия. Обсуждены причины низкой электроактивности Al в ZnO и предложены пути ее повышения.
| 18. |
Скорейко А. М. Фітофтороз суниці (Phytophthora cactorum Schrоet) у Західному Лісостепу України [Електронний ресурс] / А. М. Скорейко, Т. О. Андрійчук, В. В. Хомяк // Карантин і захист рослин. - 2014. - № 12. - С. 14-16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Kizr_2014_12_8
| 19. |
Штеплюк І. І. Особливості впливу умов вирощування на структурні і оптичні властивості плівок Zn0,9Cd0,1O [Електронний ресурс] / І. І. Штеплюк, Г. В. Лашкарьов, В. В. Хомяк, О. С. Литвин, П. Д. Мар’янчук, І. І. Тімофєєва, А. І. Євтушенко, В. Й. Лазоренко // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 6. - С. 655-662. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_6_13
| 20. |
Політанський І. В. Особливості ранньої діагностики та сучасні стратегії лікування раку нирки [Електронний ресурс] / І. В. Політанський, Н. І. Лисенко, В. О. Орел, Н. С. Сергєєва, В. І. Хомяк // Молодий вчений. - 2016. - № 12. - С. 316-319. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/molv_2016_12_78
| | |
|
|