Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Скриптун І$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Потоцька В. В. Вплив товщини приелектродного шару на дифузійний імпеданс [Електронний ресурс] / В. В. Потоцька, О. І. Гічан, І. М. Скриптун, А. О. Омельчук // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 1. - С. 34-42. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2018_1_8 Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Надано кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти за різних значень товщини дифузійного шару. Встановлено, що дифузія обумовлює запізнення за фазою відносно струму зміни поверхневої концентрації електроактивних частинок.
|
|
|