Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Петряков В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Гладковский В. В. 
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе "Алмаз" для синтеза углеродных алмазоподобных пленок [Електронний ресурс] / В. В. Гладковский, Е. Г. Костин, Б. П. Полозов, О. А. Федорович, В. А. Петряков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 5-6. - С. 39-45. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_5-6_7
Представлены результаты исследований влияния на температуру подложки параметров высокочастотного разряда в плазмохимическом реакторе "Алмаз", разработанном и изготовленном в Институте ядерных исследований. Определено время выхода на равновесную температуру подложки при различных параметрах ВЧ-разряда и параметрах основного нагревателя. Установлено, что в условиях данного исследования при температурах подложки выше 600 °С влияние ВЧ-разряда на повышение ее температуры практически отсутствует.Досліджено вплив на температуру підкладки параметрів ВЧ-розряду в плазмохімічному реакторі "Алмаз", розробленому та виготовленому в Інституті ядерних досліджень. Встановлено час виходу на рівноважне значення температури підкладки за різних параметрів ВЧ-розряду та параметрів основного нагрівача. Встановлено, що в умовах цього дослідження за температур підкладки вище 600 °С вплив ВЧ-розряду на підвищення її температури практично відсутній.The paper presents the research results on the device for obtaining diamond-like films from gas phase, constructed and tested in the Institute for Nuclear Research of the National Academy of Sciences. The device is based on a high-frequency (HF) discharge (13,56 MHz) into controlled crossed magnetic and electric fields. The discharge is excited in H{\dn\fs8 2}+CH{dn\fs8 4} or H{\dn\fs8 2}+CH{\dn\fs8 4}+Ar mixtures in different proportions. Working pressure in the chamber is 10{\up\fs8 –1} - 10{\up\fs8 –2} Torr. From the obtained results, the authors determine the time period for establishing of equilibrium substrate temperature at different HF discharge and main heater parameters. HF discharges, in the conditions of this study, at substrate temperatures above 600 °C have virtually no influence on the temperature rise of the substrate. In addition, a new heater is proposed in order to increase the attainable temperature and reduce the time for establishing the equilibrium substrate temperature. A fehral heater can not heat the substrate to temperatures above .
Попередній перегляд:   Завантажити - 629.521 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського