Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (7) | Реферативна база даних (55) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Находкін М$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 15 Представлено документи з 1 до 15 |
|||
| 1. | 
Наумовець А. Проблеми сучасності і мораль науковця [Електронний ресурс] / А. Наумовець, М. Находкін // Вісник Національної академії наук України. - 2006. - № 5. - С. 3-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vnanu_2006_5_1 Обговорено питання наукової етики як на тлі актуальних світових проблем, так і в контексті сучасного розвитку вітчизняної науки. Обгрунтовано необхідність розробки і прийняття в Україні етичного кодексу науковця. | ||
| 2. | 
Бутарєв К. О. Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі (001) [Електронний ресурс] / К. О. Бутарєв, І. П. Коваль, Ю. А. Лень, М. Г. Находкін // Журнал нано- та електронної фізики. - 2013. - Т. 5, № 1(2). - С. 01025-1-01025-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2013_5_1(2)__12 Проведено дослідження перетворень в покриттях Ti та Cr (~ 1 - 3 нм) на поверхні Si (001) при кімнатній температурі до та після відпалу при 450o C. Виявлено, що після відпалу формуються острівцеві плівки. Встановлено, що стехіометрія одержаних острівців відповідає дисиліцидній структурі. | ||
| 3. |
Находкін М. Г. Можливість застосування топографічного розгляду до границь зерен в нанокремнієвих плівках [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, Т. В. Родіонова // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(2). - С. 04084-1-04084-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(2)__35 Проведено порівняльний аналіз зернограничної структури нанокремнієвих плівок, що була експериментально досліджена за допомогою методу атомної силової мікроскопії, з існуючими модельними уявленнями. Показано, що топологічна модель структурних змін може бути застосована для аналізу перетворення зернограничної структури тільки для плівок з рівноосьовою структурою. Для плівок з волокнистою структурою топологічна модель є неприйнятною внаслідок наявності у плівках великої кількості множинних стиків границь зерен та фасетування границь зерен. | ||
| 4. | Находкін М. Г. Взаємодія Gd і O з поверхнею Si(113) [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2014. - Вип. 1. - С. 239-240. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2014_1_50 За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(113) у разі створення на ній багатошарової структури окиснених атомів Gd. Показано, що почергова адсорбція атомів Gd та атомарного кисню за кімнатної температури призводить до зменшення роботи виходу від 4,75 еВ для Si(113)-<$E3~times~2> до <$Esymbol Ы~1,9> еВ для багатошарової структури окиснених атомів Gd. Під час відпалу такої структури у разі <$E600~symbol Р roman C> за умов надвисокого вакууму робота виходу зменшується до <$Esymbol Ы~1,0> еВ. Одержані результати пояснюються створенням шару силікату Gd та утворенням на поверхні дипольного шару O-Gd. | ||
| 5. | Афанас’єва Т. В. Оптичні спектри поглинання поверхонь Si(001) та Me/Si(001), (де Me=As, Sb, Bi) [Електронний ресурс] / Т. В. Афанас’єва, Д. І. Гнатюк, І. П. Коваль, М. Г. Находкін // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2014. - Вип. 2. - С. 225-230. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2014_2_44 | ||
| 6. | Горячко А. М. Нова атомарна модель наноструктурованої поверхні Si(001)-c(8×8) [Електронний ресурс] / А. М. Горячко, С. П. Кулик, П. В. Мельник, М. Г. Находкін // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2014. - Вип. 4. - С. 259-262. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2014_4_48 За допомогою методу скануючої тунельної мікроскопії (СТМ) із атомною роздільною здатністю досліджено наноструктуровану поверхню Si(001)-с(<$E8~times~8>) та запропоновано атомарну модель цієї надструктури. | ||
| 7. | 
Гринчук О. А. Адсорбція молекулярного кисню на поверхню Si1-xGex/Si(001) [Електронний ресурс] / О. А. Гринчук, Т. В. Афанас’єва, І. П. Коваль, М. Г. Находкін // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 3. - С. 356-361. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_3_12 За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O | ||
| 8. |
Коваль І. П. Взаємодія молекулярного кисню з поверхнею Si(001), вкритою моношарами хрому та титану [Електронний ресурс] / І. П. Коваль, Ю. А. Лень, М. Г. Находкін, М. О. Свішевський, М. Ю. Яковенко // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 1. - С. 48-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_1_9 За допомогою методів електронної Оже- та іонізаційної спектроскопії експериментально досліджено хімічний склад оксидів, що утворюються на поверхні Si(001) з передадсорбованими субмоношаровими покриттями стибію при експозиціях до <$E 10 sup 8> Л (Ленгмюр) у молекулярному кисні. Вперше показано, що, на відміну від бісмуту в системі Bi/Si(001), який залишається у неокисненому стані на поверхні шару SiO | ||
| 9. |
Находкін М. Г. Взаємодія кисню та гадолінію з Si(100)- 2 × 1. Утворення системи з роботою виходу 1 еВ [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 2. - С. 97-103. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_2_3 За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(100) під час створення на ній багатошарової структури окиснених атомів Gd. Показано, що внаслідок ряду циклів адсорбції атомів Gd та атомарного кисню за кімнатної температури на поверхню Si(100)-<$E 2~times~1> та відпалу одержаної структури при 600 <$E symbol Р>С робота виходу поверхні зменшується від 4,8 еВ до значень, менших від 1 еВ. Встановлено, що зменшення роботи виходу зі збільшенням циклів обробки супроводжується окисленням атомів Gd та Si і поступовим зменшенням концентрації Si в приповерхневій області. Одержані результати пояснюються утворенням на поверхні дипольного шару O - Gd. | ||
| 10. |
Находкін М. Г. Механізми еволюції поверхні при рості нелегованих нанокремнієвих плівок [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, Т. В. Родіонова, А. С. Сутягіна // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 2. - С. 166-170. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_2_12 За допомогою методу атомної силової мікроскопії досліджено вплив товщини нелегованих нанокремнієвих плівок, що одержані за допомогою методу хімічного осадження в реакторі зниженого тиску, на характеристики їх поверхневого мікрорельєфу. Встановлено кореляцію між зростанням розмірів неоднорідностей мікрорельєфу поверхні плівок та зміною типу структури плівок від рівноосьової до волокнистої. Проаналізовано імовірні механізми еволюції поверхні нанокремнієвих плівок. | ||
| 11. |
Горячко А. Пропозиція структури графен/Ge(111) на основі дослі-дження методом скануючої тунельної мікроскопії у надвисокому вакуумі [Електронний ресурс] / А. Горячко, П. В. Мельник, М. Г. Находкін // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 1. - С. 77-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_1_12 Наведено результати експериментальних спостережень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії нової поверхневої надструктури <$E 5,5 sqrt 3~times~5,5 sqrt 3~-~R30 symbol Р> на підкладці Ge(111). Їй притаманні яскраво виражені ефекти локальної густини електронних станів, що спричиняють сильну залежність СТМ зображень від тунельної напруги, а також їх динамічні зміни за 300 K. Запропоновано інтерпретацію даної надструктури як графену, що формується у малих субмоношарових кількостях шляхом піролізу вуглеводневих складових залишкової атмосфери вакуумної камери під час відпалу зразка Ge(111) за 900 K. Побудовано атомарну модель гетероепітаксійного інтерфейсу графен/Ge(111)-<$E 5,5 sqrt 3~times~5,5 sqrt 3~-~R30 symbol Р>, що відзначається реконструйованою підкладкою Ge(111) без дальнього порядку під шаром графену, який є періодично вигнутим по висоті внаслідок просторових варіацій міжатомної геометрії надзвичайно сильно неузгоджених граток Ge(111) і графен(0001). | ||
| 12. |
Находкін М. Г. Фотоелeктронна емісія катода Si–Gd–O [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 3. - С. 259-265. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_3_9 | ||
| 13. |
Мельник П. В. Вплив змін дефектних станів на властивості фотокатода Si–Gd–O [Електронний ресурс] / П. В. Мельник, М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 8. - С. 688-694. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_8_9 За допомогою методів фотоелектронної (<$E h nu~=~2,3~-~10,2> еВ) та оже-електронної спектроскопій досліджено зміни електронних та емісійних властивостей фотокатода на базі багатошарової структури окиснених атомів Gd (імовірно Gd | ||
| 14. | Находкін М. Г. Вплив легування фосфором на структуру аморфно-кристалічних плівок кремнію [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, Т. В. Родіонова // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2016. - Вип. 2. - С. 171-174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2016_2_30 Структуру нелегованих та легованих фосфором аморфно-кристалічних плівок кремнію, що одержані за допомогою методу хімічного осадження з газової фази, досліджено за методом просвічуючої електронної мікроскопії. В легованих фосфором плівках виявлено два типи кристалітів кремнію, зокрема, кристаліти еліптичної форми з двійниковими прошарками уздовж головної осі та кристаліти неправильної форми. В нелегованих плівках спостерігались тільки кристаліти неправильної форми. Така відмінність структури може бути зумовлена ступенем впорядкованості аморфної фази, в якій ростуть кристаліти кремнію. | ||
| 15. | Находкін М. Г. Вплив відпалювання на зернограничну енергію кремнієвих плівок з дендритною структурою [Електронний ресурс] / М. Г. Находкін, Т. В. Родіонова // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Серія : Фізико-математичні науки. - 2017. - Вип. 3. - С. 277-280. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_fiz_mat_2017_3_68 Відносна зерногранична енергія нелегованих та легованих фосфором кремнієвих плівок, що отримано за методом хімічного осадження з газової фази, визначалась за допомогою методу зернограничних канавок, що утворюються за перетинання границь зерен вільною поверхнею. Показано, що нелеговані плівки з дендритною структурою мають меншу відносну зернограничну енергію, ніж плівки, що леговані фосфором. Відпалювання призводить до релаксації структури легованих фосфором плівок. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |