Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Мамон В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
1. |
Першин Ю. П. Структура, фазовый состав и модель роста аморфных многослойных рентгеновских зеркал W-Si, изготовленных методом магнетронного разпыливания [Електронний ресурс] / Ю. П. Першин, А. Ю. Девизенко, В. В. Мамон, В. С. Чумак, В. В. Кондратенко // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2016. - Т. 1, № 1. - С. 27-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2016_1_1_7
| 2. |
Конотопский Л. Е. Рост, структура и оптические свойства многослойных рентгеновских зеркал W/Mg2Si [Електронний ресурс] / Л. Е. Конотопский, И. А. Копылец, В. А. Севрюкова, Е. Н. Зубарев, В. В. Мамон, В. В. Кондратенко // Журнал фізики та інженерії поверхні. - 2017. - Т. 2, № 1. - С. 17-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jsphen_2017_2_1_5
| 3. |
Андреев А. А. Исследование фазового состава, структуры и свойств многослойных вакуумно-дуговых нанокристаллических покрытий Ti-Mo-N [Електронний ресурс] / А. А. Андреев, О. В. Соболь, В. Ф. Горбань, В. А. Столбовой, В. В. Мамон // Фізична інженерія поверхні. - 2010. - Т. 8, № 1. - С. 28-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2010_8_1_5
| 4. |
Першин Ю. П. Структура и фазовый состав многослойных рентгеновских зеркал W-Si [Електронний ресурс] / Ю. П. Першин, И. Г. Шипкова, А. Ю. Девизенко, В. В. Мамон, В. С. Чумак, В. В. Кондратенко // East european journal of physics. - 2018. - Vol. 5, Num. 3. - С. 32-44. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2018_5_3_6 С помощью методов рентгеновской дифрактометрии (<$Elambda> ~ 0,154 нм) исследована фазовая структура, состав и строение многослойных рентгеновских зеркал (МРЗ) W/Si с толщиной слоев вольфрама <$Et sub W ~<<~10> нм, полученных с помощью метода прямоточного магнетронного распыления. Исследованы две серии образцов, изготовленных с различными скоростями осаждения вольфрама, которые отличаются примерно в 4 раза: ~0,60 и ~0,15 нм/с. Показано, что при толщине <$Et sub W ~>>~2,7> нм слои вольфрама имеют поликристаллическую (ОЦК) структуру, а при <$Et sub W ~<<~1,9> нм они аморфны. При помощи <$Esin sup 2 PSI>-метода установлено, что в тонких кристаллических слоях вольфрама (<$Et sub W ~<<~10> нм) может содержаться более 3 ат.% Si. Растягивающие напряжения в слоях кристаллического вольфрама не превышают 1,1 ГПа. Построение функций радиального распределения атомов позволило установить, что аморфные слон вольфрама имеют расположение атомов, близкое к <$Ebeta>W всех образцах за счет взаимодействия на межфазных границах наблюдается формирование силицидных прослоек, в результате чего реальная толщина слоев вольфрама меньше номинальной. Аморфные силицидные прослойки, обязательно формирующиеся на стадии изготовления МРЗ, содержат дисилицид вольфрама. В зависимости от скорости осаждения дисилицид может иметь расположение атомов, близкое либо к тетрагональной фазе, t-WSi2 (~0,6 нм/с), либо к гексагональной фазе, h-WSi2 (~0,15 нм/с). Представлена уточненная модель строения аморфных МРЗ W/Si. Предложены механизмы формирования силицидных прослоек, согласно которым нижние силицидные прослойки (W-нa-Si) формируются преимущественно за счет баллистического перемешивания атомов вольфрама и кремния, а верхние - вследствие диффузионного перемешивания. Сделана оценка коэффициентов взаимной диффузии, которые позволили установить, что эффективная температура поверхности осаждаемых слоев может быть, по меньшей мере, на <$E250~symbol Р roman C> выше температуры подложки. Предложены пути снижения межфазного взаимодействия.
|
|
|