Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (4) | Журнали та продовжувані видання (1) | Автореферати дисертацій (2) | Реферативна база даних (15) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Лях-Кагуй Н$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
|||
| 1. | 
Дружинін А. О. Магнетофононний резонанс у ниткоподібних кристалах германію [Електронний ресурс] / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Н. С. Лях-Кагуй, А. М. Вуйцик // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 135-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_24 Досліджено магнетофононні осциляції магнетоопору в сильнолегованих ниткоподібних кристалах (НПК) Ge n | ||
| 2. |
Дружинін А. О. Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур [Електронний ресурс] / А. О. Дружинін, І. А. Большакова, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2014. - № 798. - С. 93-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2014_798_15 Проведено дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал - діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2 - 77 K у полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено наявність осциляцій Шубнікова - де-Гааза як в поперечному, так і в поздовжньому магнітоопорі. Визначено період осциляцій, ефективну циклотронну масу електронів, концентрацію носіїв заряду, фактор і температуру Дінгла. | ||
| 3. | 
Дружинін А. О. Ниткоподібні кристали кремнію для сенсорної електроніки [Електронний ресурс] / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, О. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 4. - С. 1078-1084. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_4_41 Для розширення функціональних можливостей сенсорів механічних величин на основі ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, легованих бором, проведено комплексне дослідження деформаційно-стимульованих ефектів у цих кристалах у широкому інтервалі температур 4,2 - 300 K за наявності сильних магнітних полів та електронного опромінення. Виявлено особливості п'єзо- та магнетоопору за низьких температур у НК Si, сильнолегованих (вироджених) і з концентрацією бору поблизу переходу метал - діелектрик. Встановлено радіаційну стійкість НК Si до дії опромінення високоенергетичними електронами. На основі НК кремнію з різним рівнем легування розроблено ряд низькотемпературних тензорезистивних сенсорів механічних величин. | ||
| 4. | 
Дружинин А. А. Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния [Електронний ресурс] / А. А. Дружинин, А. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй, А. М. Вуйцик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 4. - С. 23-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_4_6 Представлена конструкция датчика давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа, легированных бором, с удельным сопротивлением 0,005 Ом•см, который работоспособен в интервале температур от –100 до +200 °С и в диапазоне давлений от 0 до 20 МПа. Датчик предназначен для широкой области применений.The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm•cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200 °C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of applications. | ||
| 5. |
Дружинин А. А. Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия [Електронний ресурс] / А. А. Дружинин, И. И. Марьямова, А. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 4. - С. 19-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_4_5 Исследовано влияние гидростатического давления (до 5 000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5 - 20,0) x 10-5 бар-1 при 20 <$E symbol Р>С. Исследовано влияние температуры в диапазоне от -60 до +60 <$E symbol Р>С на сопротивление и коэффициент КГ этих кристаллов. Рассмотрена возможность уменьшения температурной зависимости сопротивления путем закрепления чувствительного элемента датчика на подложках из различных материалов с различным коэффициентом линейного термического расширения. Приведена конструкция разработанного датчика и его основные характеристики.Досліджено вплив гідростатичного тиску (до 5 000 бар) на опір ниткоподібних кристалів антимоніда галію n-типу, легованих селеном або телуром. Визначено величину коефіцієнта гідростатичного тиску для цих кристалів: КГ = (16,5 - 20,0) x 10-5 бар-1 при 20 <$E symbol Р>С. Досліджено вплив температури в діапазоні від –60 до +60 <$E symbol Р>С на опір та на коефіцієнт КГ цих кристалів. Розглянуто можливість зменшення температурної залежності опору шляхом закріплення чутливого елемента датчика на підкладках з різних матеріалів з різним коефіцієнтом лінійного термічного розширення. Наведено конструкцію розробленого датчика і його основні характеристики.Currently, silicon and germanium, the most common materials in the production of discrete semiconductor devices and integrated circuits, do not always meet all the requirements to the sensing elements of mechanical quantities sensors. Therefore, it islogical to research the properties of other semiconductor materials that could be used as sensing elements in such sensors. A3B5 semiconductor compounds seem promising for such purpose. Effect of hydrostatic pressure up to 5000 bar on the resistance of n-type antimonide gallium whiskers doped by Se or Te was studied. Coefficient of hydrostatic pressure for this crystals was determined, it equals Kh = (16,5—20,0)∙10–5 bar–1 at 20°Ñ. Temperature dependence of resistance and coefficient Kh for this crystals in the temperature range ±60°Ñ was studied. Design of the developed hydrostatic pressure sensor based on GaSb whiskers and its characteristics are presented. The possibility to decrease the temperature dependence of sensitive element resistance by mounting GaSb whiskers on the substrates fabricated from materials with different temperature coefficient of expansion was examined. It was shown that mounting of GaSb crystals on Cu substrate gives the optimal result, in this case the temperature coefficient decrease to 0,05%•°Ñ–1, that leads to decrease of output temperature dependence. The main advantages of developed pressure sensor are: the simplified design in comparison with pressure sensors with strain gauges mounted on spring elements; the high sensitivity to pressure that is constant in the wide pressure range; the improvement of sensors metrological characteristics owing to hysteresis absence. The possible application fields of developed sensors are measuring of high and extremely high pressure, chemical and oil industries, measuring of pressure in oil bore-holes, investigation of explosive processes. | ||
| 6. | 
Дружинін А. О. Вплив одновісної деформації та гідростатичного тиску на властивості тонких шарів InSb [Електронний ресурс] / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, О. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2018. - Т. 15, № 3. - С. 50-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2018_15_3_7 | ||
| 7. | 
Дружинін А. Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці [Електронний ресурс] / А. Дружинін, І. Островський, Ю. Ховерко, Н. Лях-Кагуй // Infocommunication technologies and electronic engineering. - 2022. - Vol. 2, № 1. - С. 110-118. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/inteelen_2022_2_1_15 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |