Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Реферативна база даних (20) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Ларкин С$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 9 Представлено документи з 1 до 9 |
|||
| 1. | 
Белоголовский М. А. Туннельные устройства с двухзонным изолятором на основе наноразмерных контактов сверхпроводящих и ферромагнитных слоев [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин, А. И. Хачатуров, Т. А. Хачатурова // Электроника и связь. - 2013. - № 1. - С. 9-13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_1_3 В рамках двухзонной модели электронной структуры изолятора показано, что учет влияния верхнего края валентной зоны на туннелирование зарядов сквозь наноразмерные слои магнитного диэлектрика приводит к устранению гигантского расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями магнетосопротивления двойных спиновых фильтров. Установлено, что туннельное магнетосопротивление контактов, образованных ферромагнитными Fe электродами и двухзонным изолятором, радикально зависит от положения химического потенциала внутри запрещенной зоны диэлектрика. | ||
| 2. |
Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов [Електронний ресурс] / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Электроника и связь. - 2013. - № 2. - С. 9-15. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2013_2_3 Показано, что электромиграция ионов кислорода под действием переменных электрических полей является основной причиной возникновения двузначной зависимости тока от напряжения в контактах металлического электрода со сложным оксидом переходных металлов. Этот эффект предлагается использовать для существенного расширения функциональных возможностей мемристора, нового базового элемента наноэлектроники. | ||
| 3. | 
Богорош А. Т. О нанокристаллических материалах [Електронний ресурс] / А. Т. Богорош, С. А. Воронов, С. Ю. Ларкин // Авиационно-космическая техника и технология. - 2007. - № 4. - С. 18–20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/aktit_2007_4_5 Лопатки газовых турбин турбореактивных двигателей работают в сложных и ответственных условиях. С целью повышения износостойкости и одновременно вязкости материалов исследованы нанокристаллические жаропрочные сплавы. Показано, что уменьшение зернистости наноматериалов и приближение его до монодисперсности позволяет после прессования получать износостойкие, прочные и вязкие материалы, пригодные для изготовления ответственных авиационных деталей сложной конфигурации. | ||
| 4. | 
Гордиенко Ю. Е. Количественный анализ разрешающей способности зондовой сканирующей микроволновой микроскопии [Електронний ресурс] / Ю. Е. Гордиенко, С. Ю. Ларкин, О. П. Шиян // Прикладная радиоэлектроника. - 2012. - Т. 11, № 3. - С. 426-430. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prre_2012_11_3_22 | ||
| 5. | 
Вакив Н. М. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии [Електронний ресурс] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, С. Ю. Ларкин, А. Ю. Авксентьев, Р. С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 2-3. - С. 61-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_2-3_12 Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8-10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может мыть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD за умов безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn наповерхні шару n-GaAs:Si за умови підвищення температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8-10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур.The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80-120°N optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600-700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs:Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600-760°C at a rate 8-10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures. | ||
| 6. | 
Ходаковский Н. И. Исследование зондовых методов получения элементов наноэлектронных приборов и технологии диагностики с использованием электростатической силовой микроскопии [Електронний ресурс] / Н. И. Ходаковский, С. Ю. Ларкин, Г. Г. Галстян // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 3. - С. 535-542. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_3_5 Исследованы зондовые методы построения наноэлектронных приборов и их диагностики с использованием электростатической силовой микроскопии. Рассмотрены пути повышения информативности измерений распределений зарядов и потенциалов в процессе получения элементов наноструктур. | ||
| 7. |
Шаповалов А. П. Туннельные переходы на основе тонких плёнок MgB2 с разными функциями распределения прозрачностей [Електронний ресурс] / А. П. Шаповалов, С. Ю. Ларкин, В. Е. Шатерник, Т. А. Прихна, В. Л. Носков, М. А. Белоголовский // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - Т. 9, Вип. 4. - С. 747-758. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2011_9_4_4 Получены и исследованы перспективные переходы Джозефсона вида MgB | ||
| 8. | 
Гордиенко Ю. Е. Кинетика локального СВЧ разогрева полупроводников и диэлектриков [Електронний ресурс] / Ю. Е. Гордиенко, С. Ю. Ларкин, Н. И. Слипченко, Е. Л. Щербак // Радиотехника. - 2014. - Вып. 177. - С. 98-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rvmnts_2014_177_16 | ||
| 9. |
Гордиенко Ю. Е. Бесконтактный режим работы при сканирующей микроволновой микроскопии [Електронний ресурс] / Ю. Е. Гордиенко, С. Ю. Ларкин, М. С. Чхотуа // Радиотехника. - 2012. - Вып. 170. - С. 73-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rvmnts_2012_170_14 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |