Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Круковський Р$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
1. |
Ваків М. М. Особливості впливу магнію на електрофізичні властивості шарів арсеніду індію, отримуваних методом РФЕ [Електронний ресурс] / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". Електроніка. - 2013. - № 764. - С. 98-101. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VNULPE_2013_764_18 Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, одержаних із індієвих і вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур <$E 670~-~550~symbol Р roman C>. Встановлено, що за концентрацій Mg 0,07 - 0,12 ат. % у розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70 000 до 92 000 см<^>2/<$E roman {B~cdot~c}>. За концентрацій <$E Mg~symbol Ы~1,1> ат. % в індієвих і за 0,56 ат. % у вісмутових розплавах кристалізуються шари p-InAs.
| 2. |
Піковський М. Й. Вплив поживних середовищ і температури на ріст та розвиток гриба Fusarium Oxysporum F. Sp. Cucumerinum Owen – збудника фузаріозного в’янення огірка [Електронний ресурс] / М. Й. Піковський, О. Є. Марковська, В. В. Дудченко, В. І. Мельник, М. П. Соломійчук, Р. Д. Круковський. // Наукові доповіді Національного університету біоресурсів і природокористування України. - 2023. - № 6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nd_2023_6_3
|
|
|