Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Королевич Л$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
1. |
Гудз Г. С. Визначення раціональної тривалості дефектування автобусних кузовів на засадах ймовірнісно-статистичного підходу [Електронний ресурс] / Г. С. Гудз, М. М. Осташук, Л. М. Королевич // Проектування, виробництво та експлуатація автотранспортних засобів і поїздів. - 2013. - № 21. - С. 72-81. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Pveazp_2013_21_12
| 2. |
Борисов А. В. Математическая модель межузлового аспекта пространственной кристаллической решётки [Електронний ресурс] / А. В. Борисов, Л. Н. Королевич, А. В. Шевлякова // Electronics and communications. - 2015. - Т. 20, № 5. - С. 6-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2015_20_5_3 Рассмотрена проблематика математической инвариантности межузлового аспекта кристаллической решётки. Благодаря введению понятия кристаллосферической системы координат и модифицированной нормальной формы Гессе математически доказана инвариантность описания кристаллической решётки в межузловом аспекте. Последний обобщён на все пространственные фёдоровские группы.
| 3. |
Королевич Л. Н. Физическая модель межузлового аспекта пространственной кристаллической решетки [Електронний ресурс] / Л. Н. Королевич, А. В. Борисов, А. В. Шевлякова // Electronics and communications. - 2016. - Т. 21, № 2. - С. 10-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2016_21_2_4 Рассмотрена проблематика физической инвариантности межузлового аспекта кристаллической решётки и его обобщение на все пространственные фёдоровские группы. Доказана физическая тождественность межузлового и узлового аспектов кристаллической решётки. Показана применимость межузлового аспекта к решению задачи о плотности поверхностных состояний.
| 4. |
Королевич Л. М. Критерій вибору діелектрика для кремнієвих МДН-структур [Електронний ресурс] / Л. М. Королевич, О. В. Борисов // Мікросистеми, Електроніка та Акустика. - 2018. - Т. 23, № 6. - С. 6-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2018_23_6_3 Розглянуто питання загального підходу до пошуку діелектрика для кремнієвих МДН-структур як альтернативного діоксиду кремнію. Показано, що на базі класичної теорії опису кристалічної решітки (вузловий аспект) неможливо одержати критерій вибору діелектрика для МДН-структур. Тому запропоновано новий - міжвузловий аспект - опису кристалічної решітки, на базі якого одержано загальний критерій вибору діелектрика для будь-якої напівпровідникової підкладки. Завдяки введенню нового характеристичного параметра кристалічної речовини - середньої довжини зв'язку - одержано аналітичний вираз для роботи виходу електрона з кристалу. Встановлено, що найбільш придатним для кремнієвих МДН-структур є діоксид церію.
| 5. |
Королевич Л. Н. Влияние методов получения тонких пленок оксида церия на вольт-фарадные характеристики МДП-структур [Електронний ресурс] / Л. Н. Королевич, Н. В. Максимчук, А. В. Борисов // Мікросистеми, Електроніка та Акустика. - 2019. - Т. 24, № 3. - С. 13-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2019_24_3_4 Рассмотрены методы получения тонких пленок оксида церия, совместимые с классической кремниевой технологией. Показано, что вольтфарадные характеристики (ВФХ) структур алюминий - оксид церия - кремний зависят от метода получения диэлектрической пленки. Рассмотрена система зарядов на границе раздела диэлектрик - полупроводник и вблизи нее. Установлено, что на ВФХ таких структур оказывает влияние только фиксированный заряд в диэлектрике, поскольку другие типы электрического заряда отсутствуют и/или их количество пренебрежимо мало. Установлено, что МДП-структуры, полученные с использованием метода вспышки, характеризуются обратимыми изменениями напряжения плоских зон вследствие изменения величины фиксированного заряда в диэлектрике, под воздействием внешних факторов. Метод окисления металлического зеркала позволяет получить МДП-структуры с фиксированным зарядом в диэлектрике, независимым от воздействия внешних факторов.
|
|
|